一二次深融柱上开关断口绝缘试验方法研究

断口绝缘试验是一二次深融柱上开关(柱开)的基础试验项目之一。根据试品电容和杂散电容分布拓扑获取机构箱壳体理论电位,开展了机构箱壳体电位和绝缘垫闪络电压测试,并采用改进措施进行断口绝缘测试。结果表明:进线侧加压时,机构箱壳体电位大于出线侧加压工况,印证了断口试验击穿现象;机构箱壳体电位实测值和理论值相近;绝缘垫在点脏污时绝缘性能最差,闪络电压为干净状态的37%;根据绝缘垫厚度和脏污程度调整机构箱放置位置,断口绝缘试验通过。一二次深融柱开断口绝缘试验时,需关注机构箱壳体电位,防止壳体对地放电干扰试验结果。