蓝宝石衬底的化学机械抛光技术的研究

介绍了蓝宝石衬底的化学机械抛光工艺 ,概述了化学机械抛光原理和设备 ,讨论分析了影响蓝宝石衬底化学机械抛光的因素 ,阐述了CMP的主要发展趋势 :能定量确定最佳CMP工艺 ,系统地研究CMP工艺过程参数 ,建立完善的CMP理论模型 ,满足不同的工艺要求和应用领域 ,有效降低成本 。

用于超精密硅晶片表面的化学机械抛光(CMP)技术研究

化学机械抛光(CMP)技术作为目前唯一的可以提供在整个圆硅晶片上全面平坦化的工艺技术,已被越来越广泛地应用到了半导体领域。重点叙述了CMP技术背景、设备、抛光原理、发展现状、存在的问题以及未来的发展趋势。

CVD金刚石厚膜的机械抛光及其残余应力的分析

较粗糙的表面是影响金刚石厚膜广泛使用的因素之一。本文对CVD金刚石厚膜进行了机械抛光的正交实验研究。实验结果表明 ,影响抛光效率的因素依次为抛光盘的磨粒、转速、正压力和抛光面积。采用较大粒度的磨盘 ,适当增加转速和压力有利于提高抛光的效率。此外用XRD方法对机械抛光前后的膜的残余应力进行了测定和对比分析 ,结果表明 ,经过机械抛光 ,残余拉应力明显减小。

铝合金反射镜磁流变抛光表面质量控制的参数优化

基于化学机械抛光(CMP)技术的基本原理,选取合适的抛光液,研究了铝合金反射镜磁流变抛光过程中材料的去除机理,分析了磁流变平坦化加工的可行性,并通过单因素实验确定了最优参数,最后研究了相应去除函数的稳定性.实验结果表明,铝镜经磁流变抛光后获得了较高的表面质量,表面粗糙度达到Ra=5.593 nm,且去除了车削时产生的纹路;铝镜磁流变去除函数稳定,去除效率较高.

影响CMP用纳米Al_2O_3磨粒粒度均一性的因素及其机理

系统地研究了制备CMP用纳米γ Al2 O3 磨粒时影响粒度及其均一性的各种因素 ,并对其机理进行了探讨。确定了控制粒度及粒度均一性的最佳条件 ,制得了均一性好的γ Al2 O3

纳米集成电路制造中的CMP

总结了化学机械抛光技术在当前纳米集成电路工艺流程中的实际应用,分析了存在的问题和挑战,以及CMP的发展趋势;同时充分评估了CMP在纳米集成电路制造中的关键作用,以及掌握其核心技术的战略意义。

掺杂剂不同的重掺硅片的抛光特性

不同掺杂剂种类的重掺硅片有其特性,为了研究不同掺杂剂硅片的固有特性对化学机械抛光结果的影响,选取应用广泛的重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片进行抛光加工,并在抛光后进行清洗。实验中保持抛光时间相同,抛光液及抛光垫状态一致,使得抛光结果的差异性与抛光时间、抛光压力、转速等抛光工艺参数无关。通过研究重掺硼、重掺砷、重掺锑3种硅片在抛光过程中的去除速率、Haze值和抛光后的表面微粗糙度,反映掺杂剂种类的不同对抛光结果的影响。实验结果显示重掺硼硅片的抛光去除速率明显低于重掺砷和重掺锑硅片,重掺砷硅片的抛光去除速率高于重掺锑和重掺硼硅片;抛光后重掺硼硅片的Haze值最大,重掺砷和重掺锑硅片的Haze值较小,间接反映抛光后重掺硼硅片的表面微粗糙度整体高于重掺砷和重掺锑硅片;白光干涉测试显示,重掺硼硅片的表面微粗糙度中心低边缘高;重掺砷硅片的边缘表面微粗糙度明显高于中心;重掺锑硅片的表面微粗糙度中心至边缘保持一致。