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题名硅片表面机械损伤层厚度的测试方法研究
被引量:1
- 1
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作者
邹子英
闵靖
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机构
上海市计量测试技术研究院
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出处
《上海计量测试》
2000年第6期42-42,45,共2页
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文摘
本文介绍了用磨角、择优腐蚀的方法显示和测试硅片表面的机械损伤层厚度的测试方法。原理和实验结果。
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关键词
单晶硅片
表面机械损伤层厚度
测试方法
半导体材料
磨角器
择优腐蚀法
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分类号
TN304.07
[电子电信—物理电子学]
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题名外环式减薄进给系统研究
被引量:2
- 2
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作者
王仲康
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机构
中国电子科技集团公司第四十五研究所
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出处
《电子工业专用设备》
2004年第7期29-33,共5页
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文摘
通过对减薄设备发展过程的研究,提出了一种由外环式磨削进给方式组成的外环式减薄系统。该系统可实现在减薄过程中对芯片磨削与研磨的最佳组合。
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关键词
磨削进给
外环式进给
机械损伤层
加工应力
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Keywords
in-feed system,outside ring in-feed system ring,SSD,process stress.
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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题名半导体材料切割过程中的几点静力学特性
- 3
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作者
王仲康
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机构
信息产业部电子第四十五研究所
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出处
《集成电路应用》
2002年第6期63-66,共4页
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文摘
本文从半导体材料切割过程中刀具刃口的受力特性出发,建立了力学模型,推导出了切片外形特性方程。分析了切割过程中刃口的运行轨迹及加速度曲线。文中结论对于综合控制切片TTV值及切片微观质量具有指导意义。同时,根据切割过程中的本质关系提出了切割设备及其自动跟踪校正系统的发展方向。
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关键词
半导体材料
切割过程
静力学特性
力学模型
微观质量
TTV值
回力波纹
机械损伤层
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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题名半导体材料切割过程中的几点静力学特性
- 4
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作者
王仲康
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机构
信息产业部电子第四十五研究所北京
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出处
《集成电路应用》
2002年第9期63-66,共4页
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文摘
本文从半导体材料切割过程中刀具刃口的受力特性出发,建立了力学模型,推导出了切片外形特性方程。分析了切割过程中刃口的运行轨迹及加速度曲线。文中结论对于综合控制切片TTV值及切片微观质量具有指导意义。同时,根据切割过程中的本质关系提出了切割设备及其自动跟踪校正系统的发展方向。
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关键词
半导体材料
切割过程
静力学特性
力学模型
微观质量
轴向刚度
挠度方程
TTV值
主切削刃
回力波纹
机械损伤层
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分类号
TN305.1
[电子电信—物理电子学]
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题名化学抛光
- 5
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作者
高敬
王轲(审核)
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出处
《导航与控制》
2005年第4期24-24,共1页
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文摘
激光陀螺腔体加工过程中的重要工序,通过控制化学反应的时间和温度来精确控制光阑的尺寸;消除陀螺腔体腔内微裂纹机械损伤层,增加毛细管表面光洁度,尽可能减少放气面积。
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关键词
化学抛光
激光陀螺
精确控制
机械损伤层
表面光洁度
加工过程
化学反应
微裂纹
毛细管
腔体
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分类号
V241.558
[航空宇航科学与技术—飞行器设计]
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