杂氮硅三环类化合物的紫外光电子能谱及化学键的理论研究

报道了 10种杂氮硅三环类化合物的紫外光电子能谱 (UPS) .采用 RHF/ 3- 2 1G对各化合物进行了构型优化 .根据各化合物 UPS的谱带特征结合 RHF/ 6 - 31G*的计算结果对谱图进行了合理的解析和指认 .利用 6 - 31G* 基组进行的电子密度拓扑分析表明 ,各化合物的 N和 Si原子间均存在键鞍点 ,从理论上证实了 N和 Si原子间存在成键作用 .各化合物的 UPS和 SCF MO计算和电子密度拓扑分析都表明 ,在该类体系中 σN→ Si配键是比杂氮硼三环类化合物中 σN→ B配键弱得多的成键作用 ;文中同时讨论了不同取代基对 Si和 N间成键作用的影响 .