硅片氧化过程及其对硅中杂质分布影响的分析

利用带活动边界的“D＇Alembert变分法”分析了硅片的氧化过程及此过程所引起的硅中杂质的再分布.氧化过程的理论分析结果及对两种常见的杂质初始分布的计算结果均与实验相符.

硅化物/硅欧姆接触特性研究

本文报道了利用XRD、RBS、SPR、AES、SEM、TEM和Kelvin电阻桥法(CBKR)等测量技术系统地研究了硅化钛/硅,硅化钴/硅欧姆接触特性。实验结果表明,硅化钛(硅化钴)/硅欧姆接触电阻率(ρ_c)不仅受硅表面层掺杂浓度而且也受退火温度,杂质再分布及硅化物/硅介面形貌等因素影响。