薄膜内杂质吸收热损伤机制的有限元分析

在介质薄膜中,薄膜中的嵌入杂质或缺陷是导致薄膜激光损伤的关键因素。为了理解球状杂质对薄膜热力学损伤的影响,以热传导方程为依据,采用有限元方法模拟了厚度为500nm的介质薄膜在激光辐射下的球状杂质吸收对薄膜的温度场分布的影响。分析了不同大小和深度的球状杂质对薄膜温度场的影响,发现大而浅的杂质对薄膜的温度场的影响较大,且薄膜在激光单脉冲作用时间内,最高温升不会出现在激光功率密度达到峰值的时刻,而是稍微滞后。

土霉素杂质吸收度工艺的研究

中国、英国等药典都对土霉素杂质吸收度制定λ４９０ｎｍ ≯０ ．２ 标准规定，而全国绝大多数厂家（ 包括我省全部１４ 家土霉素生产厂） 都达不到该项标准。本项研究通过对土霉素提炼工艺中酸化、脱色及碱化等工序的调整技改，使其λ４９０ｎｍ 从０ ．３５ ～０ ．５５ 下降至０ ．１０ ～０ ．１８ 。

葡萄糖注射液在灭菌锅中的位置对其杂质吸收度的影响

葡萄糖灭菌时间过长,灭菌温度过高,可引起葡萄糖脱水,分解成5-羟甲基糠醛,其聚合物呈淡黄色,使葡萄糖颜色变黄,杂质吸收度增大,故我国药典1985年版规定了葡萄糖注射液在284nm波长处吸收度为0.32以下来控制其质量。据报道影响杂质吸收度的因素有灭菌压力、温度、时间、溶液的pH等。经过实验,我们选择了最佳条件:pH3.8～4.0,灭菌条件115℃,40mim。每批按药典葡萄糖项下进行检查,结果发现有时杂质吸收度合格,小于0.32,有时大于0.32,为说明这种情况,我们作了以下实验。

吸收杂质热辐射诱导光学薄膜破坏的热力机制

光学元件的破坏是限制高功率激光系统发展的主要问题,理解光学元件的破坏机制对于高功率激光系统的设计、运行参量选择以及器件技术发展有重要影响。以热辐射模型为基础研究了杂质吸收诱导光学薄膜破坏的热力过程。研究发现薄膜发生初始破坏所需时间很短,脉冲的大部分时间是引起薄膜发生更大的破坏。在考虑吸收杂质发生相变的情况下,计算了吸收杂质汽化对薄膜产生的蒸汽压力,论证了薄膜发生宏观破坏的可能性。此模型能很好地解释光学薄膜的平底坑破坏形貌。

聚山梨酯-80对莪术油葡萄糖注射液质量影响的研究

目的:分析聚山梨酯-80对莪术油葡萄糖注射液杂质吸收度的影响。方法:采用紫外-可见分光光度法,在284nm的波长处测定聚山梨酯-80溶液及以其为增溶剂的莪术油葡萄糖注射液的吸收度。结果:莪术油葡萄糖注射液的吸收度随聚山梨酯-80溶液的吸收度升高而升高。结论:聚山梨酯-80对莪术油葡萄糖注射液质量影响显著。

分光光度纯有机溶剂的制取

在仪器分析中,当用紫外分光光度法、萤光分光法、高压液相色谱的紫外吸收检定器及萤光计检定器进行分析时,往往要用有机溶剂溶解,提取被测组分(紫外吸收物)。若用于提取的有机溶剂含有紫外吸收杂质,轻者将使空白值增大,降低分析方法的可检出限;严重时则掩盖了被测物的紫外吸收信号,造成干扰,影响测定,市售溶剂(A·R)的纯度多数不合要求,因此必须把溶剂中的紫外吸收杂质除去。

GaAs半导体对1.06m激光的吸收响应

入射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为103V/cm.讨论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时间变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好.

宝化炭黑尾气各组分含量的联合检测

中国国家知识产权局近日发布公告,公开了苏州宝化炭黑公司提交的发明专利申请书(CN109596559)。这项发明是涉及炭黑尾气各组分含量的联合检测方法。其中包括炭黑尾气通过杂质吸收液,吸收炭黑尾气中的气体杂质;将吸收了气体杂质后的炭黑尾气通入烟气分析仪中,采用非分散红外吸收法检测炭黑尾气中的组分和含量。