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一种新方法探究杂质掺杂对镀层内应力的影响
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作者 蔡磊 马泽贤 +2 位作者 刘新宽 朱建国 雷雪松 《现代冶金》 CAS 2021年第1期27-30,共4页
在氨基磺酸盐电镀体系中,采用一种改良的双阳极-阴极弯曲的办法测试镀层内应力;选取生产线上不同循环周期的镀液,通过该方法进行应力测试。采用电感耦合等离子体发射光谱仪进行元素检测。结果表明:无论是新镀液、循环周期15天的镀液还... 在氨基磺酸盐电镀体系中,采用一种改良的双阳极-阴极弯曲的办法测试镀层内应力;选取生产线上不同循环周期的镀液,通过该方法进行应力测试。采用电感耦合等离子体发射光谱仪进行元素检测。结果表明:无论是新镀液、循环周期15天的镀液还是处理后镀液,镀层均会产生内应力,同时镀液中金属元素杂质以及SO_(4)^(2-)掺杂会显著改变镀层应力大小。相较于传统的阴极弯曲的办法,本方法更容易测量弯曲的垂直距离,计算的结果更为准确。对于在生产实践中快速测量镀层应力具有重要的借鉴意义。 展开更多
关键词 镀镍 氨基磺酸盐 杂质掺杂 双阳极-阴极弯曲 内应力
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无序杂质、磁场对“三明治”式二维系统电导的影响
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作者 刘龙 白志明 《河北科技大学学报》 CAS 2017年第2期151-157,共7页
为研究二维电子系统中电子输运的问题及在磁场作用下二维无序杂质系统电导的物理性质,通过运用格林函数以及散射矩阵理论的方法,在格点模型的基础上,对"三明治"式二维电子系统电导的量子化现象进行了分析。导线与散射体的接... 为研究二维电子系统中电子输运的问题及在磁场作用下二维无序杂质系统电导的物理性质,通过运用格林函数以及散射矩阵理论的方法,在格点模型的基础上,对"三明治"式二维电子系统电导的量子化现象进行了分析。导线与散射体的接触减小了系统的电导,削减了电导量子台阶现象,使得系统的电导随着导线与介质间耦合的变小而降低;当系统受到外磁场作用时,系统电导的变化随着磁场的变化表现出周期性震荡行为,这种震荡变化的剧烈程度与电子的能量有关;受杂质散射的影响,系统电导随无序杂质浓度的增大而减小,在某些特殊掺杂的浓度下,对于一些特殊的电子能量,系统的电导可以达到理想情况下的阶梯值。研究成果对于"三明治"式二维电子系统电导的进一步研究具有借鉴意义。 展开更多
关键词 电磁场理论 电导量子化 格点模型 无序杂质掺杂 磁场 格林函数
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TiO_2膜的光敏化研究 被引量:5
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作者 李敏 王振领 《周口师范学院学报》 CAS 2003年第2期53-55,共3页
综述了TiO2 膜光敏化的常见方法 ,介绍了光敏化的有关机理 ,并对其应用前景进行了分析与展望 .
关键词 TIO2薄膜 光敏化机理 半导体光催化剂 染料敏化剂 半导体复合 杂质掺杂
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单晶硅中离子注入及快速热退火后浓度分布模型
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作者 周会 郭慧民 田强 《北京师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2003年第3期325-329,共5页
在考虑B ,P ,As离子注入单晶硅中的浓度分布模型的基础上 ,讨论了快速热退火对 3种注入离子浓度分布的影响 ,提出了 3种离子在快速热退火后浓度分布的修正模型 .由修正后的模型得到的多次离子注入模拟结果与实验结果符合很好 .
关键词 单晶硅 离子注入 快速热退火 浓度分布模型 工艺模型 退火温度 退火时间 杂质掺杂
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选择性扩散方式对硅基选择性发射极太阳电池性能的影响
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作者 张孙浩琛 虞铮栋 王强 《南通职业大学学报》 2013年第3期80-84,共5页
研究了不同的选择性扩散方式对SE电池短路电流性能的影响。实验结果表明,采用预淀积PSG层的恒定表面杂质总量的扩散方式的SE电池可获得最佳的短路电流特性。通过对扩散工艺的研究发现,不论何种扩散方式,扩散时间的增加均会微弱降低电池... 研究了不同的选择性扩散方式对SE电池短路电流性能的影响。实验结果表明,采用预淀积PSG层的恒定表面杂质总量的扩散方式的SE电池可获得最佳的短路电流特性。通过对扩散工艺的研究发现,不论何种扩散方式,扩散时间的增加均会微弱降低电池短路电流特性;扩散温度的增加均会使电池的短路电流先增加后降低;在恒定表面浓度扩散过程中的氧化作用会导致电池性能的降低。 展开更多
关键词 杂质掺杂 太阳电池 选择性发射极 扩散方式
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Cr-Doped InAs Self-Organized Diluted Magnetic Quantum Dots with Room-Temperature Ferromagnetism
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作者 郑玉宏 赵建华 +4 位作者 毕京锋 王玮竹 姬扬 吴晓光 夏建白 《Chinese Physics Letters》 SCIE CAS CSCD 2007年第7期2118-2121,共4页
自我组织的冲淡的磁性的量点的 做Cr 的 InAs ( QD )是成年bylow温度分子横梁的取向附生,磁性的大小表明所有 InAs 的居里温度:有流动比率从 0.026~0.18 变化在 400 K.High决定以外的 Cr/In 的 Cr QD 层穿过部分传播电子显微镜学图... 自我组织的冲淡的磁性的量点的 做Cr 的 InAs ( QD )是成年bylow温度分子横梁的取向附生,磁性的大小表明所有 InAs 的居里温度:有流动比率从 0.026~0.18 变化在 400 K.High决定以外的 Cr/In 的 Cr QD 层穿过部分传播电子显微镜学图象显示那 InAs :锌闪锌矿结构的 Cr QDsare 。为高级居里温度负责的可能的起源被讨论。 展开更多
关键词 杂质掺杂 磁铁 量子 铁磁性
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一种提高废纸制浆封闭用水质量的方法
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作者 王淑霞 《中华纸业》 CAS 北大核心 2009年第22期103-103,共1页
存废纸回收的同时也把大量的杂质带入了系统。尤其是在以往的造纸过程和纸加工过程中,杂质掺杂在产品纸中,随着废纸回收,带入回收系统的添加剂中的胶黏物是回收处理过程中最复杂、最困难、最需要认真对待的问题。大连工业大学刘秉钺... 存废纸回收的同时也把大量的杂质带入了系统。尤其是在以往的造纸过程和纸加工过程中,杂质掺杂在产品纸中,随着废纸回收,带入回收系统的添加剂中的胶黏物是回收处理过程中最复杂、最困难、最需要认真对待的问题。大连工业大学刘秉钺等人研究了一种使用硅藻土提高废纸制浆封闭生产用水质量的方法。 展开更多
关键词 用水质量 废纸制浆 封闭 废纸回收 回收系统 加工过程 造纸过程 杂质掺杂
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A pestle and mortar approach for room temperature defect engineering in metal oxides
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作者 Yu Huang 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2018年第10期1363-1364,共2页
Impurity doping and defect engineering represent common strategies for tailoring the electronic properties of solid-state materials,for example,controlling the carrier type and carrier concentration in semiconductor m... Impurity doping and defect engineering represent common strategies for tailoring the electronic properties of solid-state materials,for example,controlling the carrier type and carrier concentration in semiconductor materials.More recently,it has been shown that by the in- 展开更多
关键词 杂质掺杂 固态材料 材料学 科学研究工作
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