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正常金属-S波超导隧道结中杂质散射对微分电导的影响 被引量:3
1
作者 董正超 《低温与超导》 CAS CSCD 北大核心 1998年第4期29-34,共6页
在正常金属S波超导隧道结中,考虑到正常金属区域的杂质散射以及两金属间有不同的费米面,运用BdG方程和BTK理论模型,计算正常金属S波超导隧道结的微分电导。计算发现:杂质散射使隧道谱的零偏压凹陷峰中感应出一个小峰;整个... 在正常金属S波超导隧道结中,考虑到正常金属区域的杂质散射以及两金属间有不同的费米面,运用BdG方程和BTK理论模型,计算正常金属S波超导隧道结的微分电导。计算发现:杂质散射使隧道谱的零偏压凹陷峰中感应出一个小峰;整个隧道谱曲线随着两金属费米波矢值的比值(r=KFN/KFS)的增大而上移。 展开更多
关键词 隧道结 杂质散射 微分电导 超导机制
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金属薄膜中的杂质散射效应
2
作者 董正超 喻美竹 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1997年第4期40-43,共4页
考虑到杂质散射效应,运用量子统计的方法,计算金属薄膜中杂质散射的弛豫时间和电导率.计算结果表明:这些物理量都是金属薄膜厚度的函数,具有量子尺寸效应.
关键词 杂质散射效应 量子尺寸效应 金属薄膜 量子力学
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YBa_2Cu_3O_(7-y)体系中掺Zn的杂质散射机理研究
3
作者 诸葛向彬 赵勇 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 1993年第S2期52-54,共3页
Zn取代Cu的YB_2Cu_2O_7 体系中,Zn作为杂质散射中心存在于体系中,并推算了Zn杂质的散射截面。
关键词 掺Zn 杂质散射
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杂质散射波导理论在T型量子调制晶体管中的应用
4
作者 罗国忠 《忻州师范学院学报》 2015年第2期1-5,共5页
近年来,在量子波导管中由于杂质的弹性散射的效应能被精确地以一维散射问题来研究。文章在电子输运的量子波导理论基础上研究了介观结构中δ势杂质散射的一维量子波导理论,并把这个理论方法应用在T型量子调制晶体管中杂质散射波导理论中... 近年来,在量子波导管中由于杂质的弹性散射的效应能被精确地以一维散射问题来研究。文章在电子输运的量子波导理论基础上研究了介观结构中δ势杂质散射的一维量子波导理论,并把这个理论方法应用在T型量子调制晶体管中杂质散射波导理论中,发现介观结构的振荡结构被破坏了。 展开更多
关键词 介观结构 杂质散射 量子波导 量子调制晶体管 T型
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稀磁合金中“电阻极大”现象的双杂质散射理论 被引量:7
5
作者 汪仲诚 刘福绥 《物理学报》 SCIE EI CAS 1983年第1期33-45,共13页
本文基于s-d相互作用,考虑杂质之间存在RKKY相互作用,提出了一种新的双杂质散射模型。按照这个模型,当一个杂质作自旋翻转散射时,由于杂质之间存在着RKKY关联,它的自旋作为内部自由度会受到限制。由于这种关联,抑制了杂质的自旋翻转散射... 本文基于s-d相互作用,考虑杂质之间存在RKKY相互作用,提出了一种新的双杂质散射模型。按照这个模型,当一个杂质作自旋翻转散射时,由于杂质之间存在着RKKY关联,它的自旋作为内部自由度会受到限制。由于这种关联,抑制了杂质的自旋翻转散射,结合Kondo的logT项,能形成电阻极大。 本文计算了所有可能的“DIS”图(双杂质自能图),在Kondo电阻公式中加入了 A/(T_0~2—T^2)这样的项。其中A是一个正常数。T_0是一个临界温度。当T≤T_0时,这个公式不再有意义。 这个理论和已有的分子场理论在本质上是不同的.因为它并不依赖于合金中的磁有序.因此当TITc时厂c是磁有序转变温度),这种机制仍起作用,但分子场理论则不行.这是一种顺磁效应. 我们和Cd-Mn(杂质浓度从0.of到0.fat.川)的实验曲线进行了比较,发现符合得很好. 最后,我们认为即使在极低浓度下这种机制也是消除 Kondo losT发散的主要原因. 展开更多
关键词 杂质散射 自旋翻转 稀磁合金 电阻 电阻抗
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一维自旋1/2电子系统的单杂质散射研究
6
作者 石云龙 章豫梅 +1 位作者 陈鸿 吴翔 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1997年第7期1388-1394,共7页
应用高斯波泛函方法,研究了单个局域杂质对一维自旋1/2传导电子的散射问题.研究结果表明,双粒子散射与单粒子散射具有同样的重要性.由于这两种散射机制相互竞争,形成了拉亭格液体中电荷密度波和自旋密度波的各自的重整化质量.... 应用高斯波泛函方法,研究了单个局域杂质对一维自旋1/2传导电子的散射问题.研究结果表明,双粒子散射与单粒子散射具有同样的重要性.由于这两种散射机制相互竞争,形成了拉亭格液体中电荷密度波和自旋密度波的各自的重整化质量.随着这些质量的消失,在参量空间中出现了相界。 展开更多
关键词 自旋 电子系统 一维 杂质散射 高斯波函数
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杂质和粗糙界面散射影响下NIS结的隧道谱和束缚态
7
作者 魏健文 《河南师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期79-83,共5页
在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中,考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Blon-der-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,计算系统的微分电导.计算表明:(1)电导峰的位置与绝缘层的厚度密切相关,当绝... 在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中,考虑绝缘层中的体杂质散射以及粗糙界面散射,运用Blon-der-Tinkham-Klapwijk(BTK)理论和Bogoliubov-de Gennes(BdG)方程,计算系统的微分电导.计算表明:(1)电导峰的位置与绝缘层的厚度密切相关,当绝缘层厚度具有几个相干长度时,隧道谱中的能级谐振峰数目增多,从而在超导能隙内形成一些束缚态;(2)粗糙界面散射和绝缘层中的杂质散射均能有效地压低电导峰,由此可解释理论与实验间尚存的偏差. 展开更多
关键词 NIS结 杂质散射 粗糙界面散射 隧道谱 束缚态
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等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响
8
作者 蒋祺 龚昌德 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期600-606,共7页
本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时,电导率修正比只考虑谷内杂质散射时小一半,我们研究了层伏系统从二维过渡到三维的跨... 本文研究了等能谷间杂质散射对无序层状系统电导率的影响,求得了依赖于平面间耦合t的系统的有效维数的电导率修正。并且发现在计及等能谷间杂质散射时,电导率修正比只考虑谷内杂质散射时小一半,我们研究了层伏系统从二维过渡到三维的跨越维数效应,发现跨越行为依赖于谷间散射时间t’,当t<1/τ(τ_0/τ')^(1/2)时,系统具有二维行为,反之系统具有三维特征。 展开更多
关键词 无序层状系统 电导率 杂质散射
原文传递
n型4H-SiC电子霍耳迁移率解析模型 被引量:1
9
作者 王平 杨银堂 屈汉章 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期538-542,584,共6页
采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温... 采用解析模型,对n型4H SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳迁移率影响很大;高温区,电子霍耳迁移率则主要受谷间声子散射控制.此外,霍耳散射因子并不恒定为1,随着温度有一定的变化.研究还表明,施主浓度一定时,补偿率的变化对电子霍耳迁移率影响较大. 展开更多
关键词 4H—SiC 电子霍耳迁移率 霍耳散射因子 中性杂质散射 补偿率
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金属薄膜中的电导率计算 被引量:1
10
作者 付浩 董正超 边秋平 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 1998年第6期638-643,共6页
考虑到杂质和表面粗糙的散射,运用量子统计的格林函数方法,计算金属薄膜中的电导率.计算表明:在薄膜系统中,来自杂质和表面粗糙散射的电导率都以π/kF(kF为费米波矢值)为周期随厚度d振荡.
关键词 杂质散射 表面散射 电导率 金属薄膜
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SiC电子输运特性的Monte Carlo数值模拟 被引量:1
11
作者 王平 杨银堂 +3 位作者 屈汉章 杨燕 李跃进 贾护军 《计算物理》 EI CSCD 北大核心 2005年第3期245-250,共6页
 利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H 和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型...  利用系综MonteCarlo法研究了2H ,4H 和6HSiC的电子输运特性.在模拟中考虑了对其输运过程有着重要影响的声学声子形变势散射、极化光学声子散射、谷间声子散射、电离杂质散射以及中性杂质散射.通过计算,获得了低场下这几种不同SiC多型电子迁移率同温度的关系,并以4H SiC为例,重点分析了中性杂质散射的影响.最后对高场下电子漂移速度的稳态和瞬态变化规律进行了研究.将模拟结果同已有的实验数据进行了比较,发现当阶跃电场强度为1 0×106V·cm-1时,4H Sic电子横向瞬态速度峰值接近3 3×107cm·s-1,6H Sic接近3 0×107cm·s-1. 展开更多
关键词 电子输运特性 数值模拟 4H-SiC Carlo法 杂质散射 6H-SIC 声子散射 电子迁移率 声学声子 输运过程 实验数据 模拟结果 变化规律 漂移速度 电场强度 形变势 中性 瞬态 接近 系综 光学 电离
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掺氮4H-SiC电子输运特性的多粒子蒙特卡罗研究
12
作者 王平 杨燕 +3 位作者 杨银堂 屈汉章 崔占东 付俊兴 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第8期1512-1515,共4页
在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随... 在最新能带结构计算的基础之上,采用非抛物性能带模型对掺氮4H-SiC电子输运特性进行了多粒子蒙特卡罗(EnsembleMonteCarlo)研究.研究表明,低场下,掺杂浓度较低时,氮杂质不完全电离导致的中性杂质散射对4H-SiC横向电子迁移率影响较小.随着掺杂浓度的增加,中性杂质散射作用增强.掺杂浓度较高时,随着温度的增加,中性杂质散射的影响逐步减弱.4H-SiC电子迁移率较高且各向异性较小,温度为296K时得到的横向电子饱和漂移速度为2.18×107cm/s;阶跃电场强度为1000KV/cm时,横向瞬态速度峰值接近3.3×107cm/s,反应时间仅为百分之几皮秒量级.模拟结果同已有的测试结果较为一致. 展开更多
关键词 4H-SIC 蒙特卡罗研究 中性杂质散射 饱和漂移速度
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SnO_2/Fe_2O_3复合膜界面电导率特性分析
13
作者 张文华 《华中师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2001年第1期61-63,共3页
等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡... 等离子体化学气相淀积法 (PCVD法 )制备的复合膜 Sn O2 /Fe2 O3界面电导特性是由于非平衡反应生成的过渡层的结果 .其电导机理可用半导体薄膜理论来阐明 :当锡在 Fe2 O3中的浓度低时 ,由于准自由电子补偿机制起作用 ,导电率升高 ;当锡与铁在过渡层中浓度接近时 ,杂质散射和晶界电阻增大 。 展开更多
关键词 电导率 电子补偿 杂质散射 晶界电阻 氧化锡 三氧化二铁 复合膜 电导机理
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正常金属绝缘体-s波超导结中的隧道谱和束缚态
14
作者 王云霞 《四川师范大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 2000年第6期617-620,共4页
在正常金属 绝缘体 s波超导隧道结中 ,考虑到绝缘体中的体杂质散射以及粗糙界面散射 ,运用Bogoliubov deGennes (BdG)方程和Blonder Tinkham Klapwijk (BTK)理论模型 ,计算系统的微分电导和束缚态 .计算表明 :( 1)粗糙界面散射和绝缘体... 在正常金属 绝缘体 s波超导隧道结中 ,考虑到绝缘体中的体杂质散射以及粗糙界面散射 ,运用Bogoliubov deGennes (BdG)方程和Blonder Tinkham Klapwijk (BTK)理论模型 ,计算系统的微分电导和束缚态 .计算表明 :( 1)粗糙界面散射和绝缘体中的杂质散射都能使能隙峰变低 ,凹陷升高 ;( 2 )当绝缘层厚度具有几个超导相干长度时 ,隧道谱中将呈现一些子能隙谐振峰 ,并在超导能隙内形成一些束缚态 . 展开更多
关键词 微分电导 束缚态 杂质散射 界面散射
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金属薄膜中的电导率计算
15
作者 董正超 《青海师专学报》 1998年第4期24-29,共6页
考虑到杂质和表面粗糙的散射,运用量子统计的格林函数方法,计算金属薄膜中的电导率。计算表明:在薄膜系统中,来自杂质和表面粗糙散射的电导率都以π/KF(KF作为费米波矢值)为周期随厚度d振荡。
关键词 杂质散射 表面散射 电导率 金属薄膜
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碳纤维温度传感器的感温机理及其应用研究 被引量:2
16
作者 郑锦涛 温锦秀 +5 位作者 胡晓燕 胡凤鸣 陈国宁 黄景诚 陈智明 罗坚义 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2022年第4期461-466,共6页
碳基材料的温度传感机理研究报道中很少讨论碳材料的固有杂质对温度响应的影响,因此选择了杂质和缺陷较多的碳纤维丝束作为研究对象,研究杂质散射机理与其温度响应的关系。基于杂质散射机理和碳纤维的几何特点,分析了碳纤维的感温机理,... 碳基材料的温度传感机理研究报道中很少讨论碳材料的固有杂质对温度响应的影响,因此选择了杂质和缺陷较多的碳纤维丝束作为研究对象,研究杂质散射机理与其温度响应的关系。基于杂质散射机理和碳纤维的几何特点,分析了碳纤维的感温机理,并提出了相应的温度标定公式,即碳纤维在123.15 K至423.15 K的宽温度范围内,电导G对温度T^(3/2)具有良好的线性响应。两者的变化量可定义为碳纤维丝束温度传感器的灵敏度,此温度传感器的灵敏度可以通过灵活调控碳纤维的几何结构和化学掺杂来改变,这进一步验证了碳纤维的电荷传输行为在123 K~423 K的温度范围都符合杂质散射。此外,结合温度标定公式和无线蓝牙电路,设计出一种响应时间快达0.6 s的便携式柔性温度传感器,可快速、实时地监测人体和环境温度。 展开更多
关键词 杂质散射机理 碳纤维 标定公式 柔性温度传感器
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氢气气氛中后续退火处理对ZnO:Al薄膜光电性能的影响
17
作者 甘柳忠 吴炳俊 +2 位作者 黄烽 李明 谢斌 《中国科学技术大学学报》 CAS CSCD 北大核心 2010年第7期699-705,共7页
利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导... 利用自由基辅助磁控溅射法在载玻片衬底上制备了透明导电ZnO:Al薄膜(简称AZO薄膜).研究了氢气气氛中后续退火处理对Al掺杂效率以及AZO薄膜性能的影响.研究结果表明,退火处理提高Al的掺杂效率、降低中性杂质浓度,从而提高了AZO薄膜的导电性能.AZO薄膜550℃下在H2气氛中退火处理后,其电阻率为6.5×10-4Ω·cm,550nm波长的透射率为85.7%,载流子浓度为3.3×1020cm-3,迁移率为29.7cm2·V-1·s-1. 展开更多
关键词 AZO薄膜 自由基辅助磁控溅射 中性杂质散射 掺杂效率 后退火处理
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Effect of Magnetic-Impurity Scattering in Disordered Two-Dimensional Square Lattices Around Half Filling
18
作者 QIAN Feng YANG Yong-Hong 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2005年第5X期929-935,共7页
Weak-localization effect in the presence of magnetic impurities is studied in disordered two-dimensional tight-binding square lattices around half filling. Both the magnetic and nonmagnetic impurities are assumed to b... Weak-localization effect in the presence of magnetic impurities is studied in disordered two-dimensional tight-binding square lattices around half filling. Both the magnetic and nonmagnetic impurities are assumed to be randomly distributed on small fractions of the sites, while the nonmagnetic impurities have a strong potential yielding a unitary-limit scattering. We derive in details the expressions of diffusive π modes in the retarded-retarded (or advancedadvanced) channel, which result from the existence of particle-hole symmetry. The quantum interference correction to the density of states is calculated. While the magnetic-impurity scattering suppresses the quantum correction from π-mode cooperon, it does not affect the contribution of π-mode diffuson. 展开更多
关键词 磁性杂质散射 混乱理论 二维方格 填充物 量子干涉
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An Extended Extrinsic Mechanism for Anomalous Hall Effect
19
作者 YAN Yu-Zhen LI Hui-Wu HU Liang-Bin 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第12期1129-1133,共5页
The extrinsic mechanism for anomalous Hall effect in ferromagnets is extended to include the contributionsboth from spin-orbit-dependent impurity scattering and from the spin-orbit coupling induced by external electri... The extrinsic mechanism for anomalous Hall effect in ferromagnets is extended to include the contributionsboth from spin-orbit-dependent impurity scattering and from the spin-orbit coupling induced by external electric fields.The results obtained suggest that, within the framework of the extrinsic mechanisms, the anomalous Hall current in aferromagnet may also contain a substantial amount of dissipationless contribution independent of impurity scattering.After the contribution from the spin-orbit coupling induced by external electric fields is included, the total anomalousHall conductivity is about two times larger than that due to spin-orbit dependent impurity scatterings. 展开更多
关键词 反常霍尔效应 扩展机制 自旋轨道耦合 杂质散射 电场诱导 外部机制 铁磁体 电导率
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Anomalous Hall Effect in Spin-Polarized Two-Dimensional Hole Gas with Cubic-Rashbsa Spin-Orbit Interaction
20
作者 任莉 宓一鸣 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2010年第9期559-562,共4页
Based on the Kubo formalism,the anomalous Hall effect in a magnetic two-dimensional hole gas withcubic-Rashba spin-orbit coupling is studied in the presence of 5-function scattering potential.When the weak,short-range... Based on the Kubo formalism,the anomalous Hall effect in a magnetic two-dimensional hole gas withcubic-Rashba spin-orbit coupling is studied in the presence of 5-function scattering potential.When the weak,short-rangeddisorder scattering is considered in the Born approximation,we find that the self-energy becomes diagonal inthe helicity basis and its value is independent of the wave number,and the vertex correction to the anomalous Hallconductivity due to impurity scattering vanishes when both subbands are occupied.That is to say,the anomalous Halleffect is not vanishing or influenced by the vertex correction for two-dimensional heavy-hole system,which is in sharpcontrast to the case of linear-Rashba spin-orbit coupling in the electron band when the short-range disorder scattering isconsidered and the extrinsic mechanism as well as the effect of external electric field on the SO interaction are ignored. 展开更多
关键词 自旋轨道相互作用 反常霍尔效应 二维空穴气 自旋极化 立方 杂质散射 自旋轨道耦合 形式主义
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