半导体量子阱和量子线中杂质束缚能的度规法则与维里定理

利用变分法计算了矩形量子线和量子阱中类氢杂质束缚能的度规法则和维里定理值 .计算结果表明 :的确存在一个参数 (杂质有效玻尔半径 )可用来完全确定束缚能的值 ,而不必考虑截面的形状和尺寸 ;体系的维里定理值并不等于常数 ,而是随杂质有效玻尔半径变化 ,在阱宽较小和较大时 ,维里定理值都趋于 2 .

量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的性质

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法,研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率、基态能量和基态结合能随库仑束缚势、电子-声子耦合强度和椭球的纵横比的变化关系。数值计算结果表明:振动频率、基态能量和基态结合能随库仑束缚势的增加而增大,基态能量和基态结合能随电子-声子耦合强度的增加而增加。当e′>1时,振动频率、基态能量和基态结合能随椭球的纵横比的增加而增加;e′<1时,随纵横比的减少,振动频率、基态能量和基态结合能都增大;当e′=1时,振动频率取极小值,基态能量和基态结合能也取较小的稳定值。

量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经坐标变换成球形边界的哈密顿量。采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中强耦合杂质束缚极化子的性质。导出了量子棒中强耦合杂质束缚极化子的振动频率和声子平均数随库仑束缚势、电子-声子耦合强度、椭球的纵横比和量子棒的横向和纵向有效受限长度的变化关系。数值计算结果表明:振动频率和声子平均数随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增强而增加,随量子棒的横向和纵向有效受限长度和椭球的纵横比的减小而增大。表现出量子棒的奇特的量子尺寸限制效应。

非对称量子点中杂质束缚极化子性质

采用线性组合算符和幺正变换方法,研究磁场对非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子性质的影响。导出了非对称量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向受限强度、磁场的回旋共振频率、库仑束缚势和电子-声子耦合强度的变化关系。数值计算结果表明:非对称量子点中弱耦合杂质束缚磁极化子振动频率和基态结合能随量子点的横向和纵向受限强度的增大而迅速增大,表现出奇特的量子尺寸效应。

量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率

给出了具有椭球边界量子棒经过坐标变换成球形边界的哈密顿量.采用线性组合算符和幺正变换的方法研究了在非均匀抛物限制势下量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了量子棒中弱耦合杂质束缚极化子的振动频率随库仑束缚势和椭球的纵横比的变化关系以及声子平均数随电子-声子耦合强度和椭球的纵横比的变化关系.数值计算结果表明:振动频率随库仑束缚势的增加而增加,当e′>1时,振动频率随椭球的纵横比的增加而增加.e′<1时,随着椭球的纵横比的减少,振动频率增大.当e′=1时,振动频率取极小值.声子平均数随电子-声子耦合强度的增加而增加,随着椭球的纵横比的减少而增大.

非对称量子点中杂质束缚极化子的基态结合能

采用线性组合算符和么正变换方法研究了非对称量子点中弱耦合杂质束缚极化子的性质.导出了极化子基态结合能随横向和纵向有效受限长度、电子-声子耦合强度和库仑束缚势的变化关系以及声子平均数随耦合强度的变化关系.数值计算结果表明:基态结合能随横向和纵向有效受限长度的增加而减少,随电子-声子耦合强度和库仑束缚势的增加而增大.声子平均数随耦合强度的增加而增大.

(Sr,Ca)_4Si_3O_8Cl_4基质中Eu^(2+)的发光特性研究

采用高温固相法合成Sr4-xCaxSi3O8Cl4:Eu2+荧光材料,利用Van Uitert公式讨论Sr4-xCaxSi3O8Cl4:Eu2+中yEu2+的晶格环境和发光特性,确定晶体中有蓝色和黄绿色两种发光中心,并讨论了它们与光谱结构的对应关系。当0<x<0.5,Ca2+固溶入Sr4Si3O8Cl4基质晶格,Eu2+占据八配位Sr2+格位,晶体主要产生蓝色中心的蓝绿色发射;当0.5<x<2,较大的Ca2+掺杂使晶胞参数变小,晶格中的杂质束缚激子态的束缚增强,Eu2+处于杂质束缚激子中心所形成的激发态能量进一步降低,发射位于长波段方向并具有较大的Stokes位移,Sr4-xCaxSi3O8Cl4:yEu2+主要产生黄绿色中心的黄绿色发射光。

Binding Energy and Photoionization of Hydrogenic Impurities in GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs Quantum Well Wires

The binding energy and the photon energy dependence of the photoionization cross-section are calculated for a hydrogenic impurity in GaAs/Ga 1-xAl xAs quantum well wires.The correlation between confined and non-confined direction of the wire in the variational wave function is taken into account.The results show that the photoionization cross-sections are affected by the width of the wire and that their magnitudes are larger than those in infinite potential quantum well wires.In comparison with previous's results,the variational wave function improves the binding energy and decreases the value of photoionization cross-sections of the hydrogenic impurities,which makes the results more reasonable.

基质中非4f组态的电子态对Pr^(3+)离子发光的影响（英文）

三价镨离子(Pr^(3+))是一种备受关注的稀土发光离子。学者们在过去几十年里对其发光性质进行了大量的理论和实验研究。在不同的基质材料中,由于非4f组态的电子态与Pr^(3+)离子发光能级相互作用,Pr^(3+)离子可以展现从紫外到红外波段的不同特征的光发射。影响Pr^(3+)离子发光的这些电子态可能源于4f5d激发组态、电荷迁移态或类激子态。本文中,我们以几种具有代表性的发光材料为例,简短地总结和评述了Pr^(3+)离子发光的不同谱形;也尝试解释了几个新颖的实验现象,例如:杂质束缚激子态和电荷迁移态对发光的猝灭影响。我们希望这些相关概念和谱学结果的整理有助于读者更好地理解一些实验上的发光现象,并为设计发光材料提供新的思路。