硅生长过程的热场建模工艺优化研究

本文通过分析晶体的生长界面,得出生长界面的形状对单晶的内在质量参数有着极为重要的影响。等径生长时生长界面是逐渐由凸变平,进而控制成微凹状。保持这种生长界面不仅有利于单晶生长,还可以避免生长界面处受熔体流的冲刷而引起的回熔,有利于降低单晶中微缺陷密度。通过优化热场和工艺参数可以提高晶体品质,降低杂质含量。