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某铜精矿中杂质元素铅砷赋存状态研究
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作者 张媛庆 王瑄 +1 位作者 豆银丽 李琛 《中国金属通报》 2021年第14期134-135,共2页
电解铜的主要原料来源为铜精矿,铜精矿中的铅、砷等杂质元素的含量及赋存状态,直接影响到铜冶炼工艺技术参数、最终产品的品质及对环境的污染性。本文对某铜精矿中的杂质元素铅、砷进行较详细的物质组成及金属赋存状态研究,以期为后续... 电解铜的主要原料来源为铜精矿,铜精矿中的铅、砷等杂质元素的含量及赋存状态,直接影响到铜冶炼工艺技术参数、最终产品的品质及对环境的污染性。本文对某铜精矿中的杂质元素铅、砷进行较详细的物质组成及金属赋存状态研究,以期为后续冶炼过程工艺控制及提高产品质量提供可靠的矿物组成数据支撑。 展开更多
关键词 铜精矿 杂质元素 金属赋存状态
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扩展电阻分析对砷在硅中本征扩散系数的研究
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作者 卢志恒 罗晏 王大椿 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期441-448,共8页
本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征... 本文扼要叙述了扩展电阻分析用以测量较低浓度砷的剖面的有效性,进而研究了较低浓度砷在硅中的扩散问题.由于通过快速热退火对样品进行预处理,排除了辐照损伤对扩散系数测定的影响,从而测得砷在硅中本来意义下,即替位扩散意义下的本征扩散系数.如所预期,这组数据比国外直至目前所测得的数据要低.浓度剖面的实验数据由非线性扩散方程的数值解进行拟合.结果表明:SUPREM III所采用的模型在较高浓度区扩散系数随浓度递增速率较小,Hu理论仍然和本实验(?)较符合.本文还求得了扣除辐照损伤增强扩散效应后,砷在硅中的激活能为4. 展开更多
关键词 扩散 硅中杂质砷 扩展电阻
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铜电解液净化过程中黑铜粉的形成机理
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作者 文燕 《中国有色冶金》 北大核心 2017年第3期71-76,共6页
对电解法制备黑铜粉的机理进行研究,考察了铜离子浓度、砷离子浓度对黑铜粉形成的影响。采用扫描电镜观察阴极产物的微观形貌,利用循环伏安曲线、恒电位阶跃暂态曲线研究玻碳电极表面黑铜粉的形核过程。研究表明,在低浓度铜溶液中,随着... 对电解法制备黑铜粉的机理进行研究,考察了铜离子浓度、砷离子浓度对黑铜粉形成的影响。采用扫描电镜观察阴极产物的微观形貌,利用循环伏安曲线、恒电位阶跃暂态曲线研究玻碳电极表面黑铜粉的形核过程。研究表明,在低浓度铜溶液中,随着砷浓度的增大,沉积层逐渐从疏松块状结构变为疏松粉末状结构;铜在玻碳电极上的电结晶遵循液相传质控制的三维生长机理,随着As"浓度增加,形核速率增大;在低浓度铜溶液中(3 g/L),As^(3+)的加入大大促进了晶核的形成,使晶粒过于细化,从而形成了黑铜粉。 展开更多
关键词 铜电解液 杂质砷 黑铜粉 形成机理
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磁场协同作用对铜电解过程的影响 被引量:2
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作者 姚夏妍 吴克富 +4 位作者 鲁兴武 李学国 牛永胜 关甫江 席利丽 《中国有色冶金》 CAS 北大核心 2021年第3期9-15,共7页
随着铜冶炼原料复杂程度的提升,阳极铜成分很难控制在标准之内,精炼过程中阴极铜质量一直是铜冶炼研究的热点和难点。本文通过在铜电解原循环管道上添加磁场和过渡槽,并通过对比施加磁场前后电解槽Cu^(2+)的分布、电解液的清晰度、阳极... 随着铜冶炼原料复杂程度的提升,阳极铜成分很难控制在标准之内,精炼过程中阴极铜质量一直是铜冶炼研究的热点和难点。本文通过在铜电解原循环管道上添加磁场和过渡槽,并通过对比施加磁场前后电解槽Cu^(2+)的分布、电解液的清晰度、阳极泥成分以及阴极铜质量和产量的变化来研究、探索磁场协同作用对铜电解过程的影响。结果表明:磁场可强化Cu^(2+)的扩散性能,加快阳极溶解速度,磁场作用下阴极铜析出量提高10%,电流效率提高3%,残极率降低9%;磁场可促进铜电解液的自净化,降低电解液中砷锑铋杂质离子浓度,施加磁场后,阳极泥中锑元素含量增加56.2%,铋含量增加24.5%,砷含量增加5%;磁场的协同作用可促进阳极泥的沉降,降低阴极铜阳极泥粒子数量,施加磁场后阴极铜结粒概率降低21%。 展开更多
关键词 铜电解 磁场 协同效应 阴极铜质量 锑铋杂质 电解液清晰度 Cu2+扩散性能 阳极泥
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Stark Effect Dependence on Hydrogenic Impurities in GaAs Parabolic Quantum-Well Wires 被引量:1
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作者 WANG Sheng WEI Guo-Zhu HAN Yu 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第11期953-959,共7页
The ground-state and lowest excited-state binding energies of a hydrogenic impurity in GaAs parabolic quantum-well wires (Q WWs) subjected to external electric and magnetic fields are investigated using the finite-d... The ground-state and lowest excited-state binding energies of a hydrogenic impurity in GaAs parabolic quantum-well wires (Q WWs) subjected to external electric and magnetic fields are investigated using the finite-difference method within the quasi-one-dimensional effective potential model. We define an effective radius Pen of a cylindrical QWW, which can describe the strength of the lateral confinement. For the ground state, the position of the largest probability density of electron in x-y plane is located at a point, while for the lowest excited state, is located on a circularity whose radius is Pen. The point and circularity are pushed along the left haft of the center axis of the quantum-well wire by the electric field dire ted along the right half. When an impurity is located at the point or within the circularity, the ground-state or lowest excited-state binding energies are the largest; when the impurity is apart from the point or circularity, the ground-state or lowest excited-state binding energies start to decrease. 展开更多
关键词 hydrogenic impurity quantum-well wire magnetic field binding energy
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Shallow Donor Impurity Ground State in a GaAs/AlAs Spherical Quantum Dot within an Electric Field
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作者 YUAN Jian-Hui XIE Wen-Fang HE Li-Li 《Communications in Theoretical Physics》 SCIE CAS CSCD 2009年第10期710-714,共5页
Using the configuration-integration methods (CI) [Phys. Rev. B 45 (1992) 19], we report the results of the Hydrogenie-impurity ground state in a GaAs/AIAs spherical quantum dot under an electric field. We discuss ... Using the configuration-integration methods (CI) [Phys. Rev. B 45 (1992) 19], we report the results of the Hydrogenie-impurity ground state in a GaAs/AIAs spherical quantum dot under an electric field. We discuss the variations of the binding energies of the Hydrogenic-impurity ground state as a function of the position of impurity D, the radius R of the quantum dot, and also as a function of electric field F. We find that the ground energy and binding energy of impurity placed anywhere depend strongly on the position of impurity. Also, electric field can largely change the Hydrogenic-impurity ground state only limiting to the big radius of quantum dot. And the differences in energy level and binding energy are observed from the center donor and off-center donor. 展开更多
关键词 DONOR quantum dots binding energy electric field
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