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采用LOCOS隔离的部分耗尽SOI器件的窄沟道效应
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作者 宋文斌 许高博 +1 位作者 郭天雷 韩郑生 《电子器件》 CAS 2007年第5期1535-1538,共4页
制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反... 制备了不同沟宽的采用LOCOS隔离的PDSOI器件,通过实验数据分析器件的窄沟道效应.结果显示,1.2μmSOI器件的窄沟道效应跟体硅相似,主要是由边缘电场效应和"鸟嘴"效应引起的;0.8μmSOI器件的阈值电压随着沟道变窄而减小,出现反向窄沟道效应.我们认为,主要是由于杂质的重新分布降低了沟道边缘的杂质浓度所引起的. 展开更多
关键词 部分耗SOI 鸟嘴效应 边缘电场效应 反向窄沟道效应 杂质重新分布
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