HL-lM装置杂质粒子输运与约束特性

在HL lM装置上利用激光吹气技术 ,在等离子体边缘瞬态注入少量Al杂质粒子 ,通过对真空紫外光谱和软X射线区的杂质辐射测量 ,分别研究了欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下 ,Al杂质粒子输运与约束特性。结果表明 :在欧姆等离子体和低杂波电流驱动等离子体两种情况下 ,等离子体中心区 ,在没有MHD锯齿震荡和有MHD锯齿震荡非锯齿破裂期间 ,杂质粒子输运基本上受新经典规律支配 ;在有MHD锯齿震荡锯齿破裂期间 ,杂质粒子输运受MHD不稳定性支配 ,但其时间很短 (通常小于 30 0 μs) ,所以在这种情况下 ,杂质粒子输运的平均效应比新经典值稍大。而约束区杂质粒子输运则比新经典的值大很多 ,是反常的。在一定条件下低混杂波电流驱动可以改善等离子体粒子约束。