MOS器件Hf基高k栅介质的研究综述

随着金属氧化物半导体(MOS)器件尺寸的持续缩小,HfO2因其介电常数(k)高、带隙大等特点,成为取代传统SiO2栅介质最有希望的候选材料.本文综述了Hf基高k栅介质薄膜的近年的研究进展.针对HfO2结晶温度低、在HfO2薄膜和Si衬底间易形成界面层导致漏电流大、界面态密度高、击穿电压低等问题,回顾了最近论文报道的两种策略,即掺杂改性和插入缓冲层.接着举例讨论了Hf基材料从二元到掺杂氧化物/复合物的演变、非Si衬底上淀积Hf基高k栅介质、Hf基高k栅介质的非传统MOS器件结构,为集成电路(IC)中MOS器件的长期发展提供一些思路.

新一代栅介质材料——高K材料

介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。

Hf基高K栅介质材料研究进展

随着微电子技术的不断发展,MOSFET 的特征尺寸已缩小至100nm 以下,SiO_2作为栅介质材料已不能满足技术发展的需求,因此必须寻求一种新型高 K 的介质材料来取代 SiO_2。当今普遍认为 Hf 基栅介质材料是最有希望取代 SiO_2而成为下一代 MOSFET 的栅介质材料。综述了高 K 栅介质材料的意义、Hf 基高 K 栅介质材料的最新研究进展和 Hf 基高 K 栅介质材料在克服自身缺陷时使用的一些技术;介绍了一款由 Hf 基高 K 介质材料作为栅绝缘层制作的 MOSFET。

高k材料/金属栅电极迈向大规模量产

到了45纳米技术节点,高介电常数绝缘材料和金属栅电极将被用于制造逻辑电路器件。而采用高金属功函数和能隙工程电荷陷阱的闪存也能从这些项技术中获益。

脉冲测量技术越过高K材料电荷捕获的壁垒

由于高介电常数的栅电路结构在俘获电荷机制上存在负面影响,常规的直流量测技术已经捉襟见肘了。脉冲电流-电压量测技术能够彻底解决这一难题,从而得到高介电常数栅电路结构晶体管的本征电学表现。

高介电聚合物/无机复合材料研究进展

随着电子工业的飞速发展,电子器件小型化、高速化成为一种主导发展趋势。采用高介电材料制备的器件尺寸仅为传统振荡器和介质相的1/K,使得高介电材料成为电子材料行业一个重要的发展领域。高介电钙钛矿型无机陶瓷材料与可加工性强的聚合物材料两相复合材料结合了两相各自的优势,比如聚合物相的低温(200℃)可加工性与机械强度以及陶瓷相的高介电性,成为高介电复合材料的研究热点之一。综述了高K聚合物/无机复合材料的研究进展,介绍了其高介电理论、材料制备方法及发展动向。

高性能钛酸钡/聚合物复合材料的研究进展

具有高介电常数(k)的钛酸钡/聚合物复合材料,兼有钛酸钡陶瓷和聚合物的各自优势,是一种有广泛应用前景的电子材料,因而备受关注。综合给出了近5年来高性能钛酸钡/聚合物复合材料的研究进展,分析指出了原材料选择、制备工艺及其对复合材料介电性能的影响,概括介绍了这类复合材料的主要应用,预测展望了其未来的发展趋势。

高K栅介质研究进展

介绍了国内外对高K栅极介质的研究现状。分析了适合用于作为栅极介质的高介电常数材料的种类,用于制备高K薄膜的方法。

分析影响PCB阻抗主要因素及影响差异对比

通过对不同介质厚度、线宽、材料介电常数DK、铜厚、油墨厚度等影响因素研究,分析影响PCB阻抗的主要因素和阻抗影响不同程度,为高精度阻抗管控提供参考。