基于改进PSO-BP神经网络算法的半导体材料带隙宽度预测

半导体材料的带隙宽度对其性能有重要影响,准确预测带隙宽度对半导体材料的研究具有重要意义。通过密度泛函理论计算半导体材料带隙宽度通常需要耗费大量的时间且预测精度较低,因此建立了一种基于统计学方法和改进PSO-BP神经网络算法的半导体材料带隙宽度预测模型,用于提高带隙值的预测精度。该模型先通过统计学的方法对半导体材料带隙宽度数据集的特征属性进行分析和选择,而后利用改进的PSO-BP神经网络算法挖掘特征属性与带隙值之间隐含的数学关系。实验结果表明,该预测模型相比于对照模型的均方误差降低了25%以上,可靠性达到了75.15%,可广泛应用于需要大量预测半导体材料带隙宽度的场合。

宽度对倾斜薄棉布顺流火蔓延影响实验研究

自主制作可调试样宽度和角度的实验平台,分别以5、10、15、20、25 cm宽度的薄棉布在倾角为25?的条件下进行燃烧实验,研究材料宽度对薄型倾斜可燃物火蔓延行为的影响,定量分析其影响的内在机制。根据火焰形态和蔓延速度将燃烧过程分为三个阶段:稳定增长阶段、加速蔓延阶段、稳定蔓延阶段。分析认为,引起倾斜薄型可燃物火焰加速蔓延现象的原因,是火焰体与试样间存在夹角使火焰体向预热区传递热通量持续增加,当热量传递平衡后火焰会达到稳定蔓延状态。实验发现火焰的蔓延速度随着试样宽度增加而增加,并拟合得出了材料宽度同火焰蔓延速度的经验公式。

太阳能硅片表面损伤层与转换率的研究

改变垂直压力、砂子的堆积密度、尖锐程度变量研究了其对太阳能硅片损伤层大小的影响,改变半导体材料带隙宽度的大小探讨了其对太阳能电池转换率的影响。

宽带隙薄膜材料场电子发射研究的背景、现状和问题

介绍了以金刚石为代表的宽带隙薄膜材料场电子发射研究背景和现状 ,对金刚石、类金刚石 (DLC)、立方氮化硼 (c-BN)、氮化铝 (AlN)和碳化硅 (SiC)薄膜场电子发射研究的进展进行了评述 ,着重介绍了发射性能与薄膜的结构特征、杂质含量和处理方法间的关系 ,并讨论了研究中存在的问题 .