硅衬底InGaN多量子阱材料生长及LED研制

利用低压金属有机化学气相沉积(MOCVD)系统在Si(111)衬底上生长了InGaN 多量子阱LED外延片.为克服GaN与Si衬底之间巨大的晶格失配与热失配,引入了AlN低温缓冲层及富镓的GaN高温缓冲层,在Si(111)衬底上获得了无龟裂的InGaN 多量子阱LED外延材料.在两英寸外延片内LED管芯的工作电压在3.7～4.1V之间,电致发光波长在465～480nm之间,87%的LED管芯的反向漏电流不大于0.1μA,输出光强为18～30mcd.

金刚石电子材料生长的研究进展

简述了金刚石兼具物理的和化学的优良性质,尤其是金刚石的半导体电气性质,即宽带隙、高击穿电场、高载流子迁移率和高热导率,成为固态功率器件最有前途的半导体材料之一。介绍了金刚石基的电子器件及其材料生长的研究进展,分析了金刚石膜的导电机理以及材料生长的新技术。重点介绍了采用包括微波等离子体化学汽相淀积（MPCVD）等方法制备金刚石膜、本征单晶生长、硼掺杂等技术。目前在直径为100~200 mm的硅衬底上,可以淀积均匀的超纳米结晶金刚石（UNCD）膜。此外,对金刚石电子学和光电子学的未来进行了展望。

AlInGaN/GaN异质结构材料生长及特性研究

AlInGaN四元合金具有独立控制禁带宽度和晶格常数的特性,利用这一特性可以实现性能更为出色的异质结构材料.利用MOCVD技术生长获得了AlInGaN/GaN异质结构,通过汞探针C-V测量和Hall效应测量,发现其电学特性明显优于常规AlGaN/GaN异质结构,通过XDR和AFM分析,发现其势垒层结晶质量十分出色,但表面形貌与常规异质结构相比还存在一定差距.

GaAs基1.55微米自组织InAs量子点材料生长研究进展

光纤通讯用GaAs基高性能1.55微米量子点激光器引起了人们的广泛关注。然而,由较大晶格失配引起的应变、位错等缺陷,导致GaAs基InAs量子点材料的光增益严重降低。目前利用低温外延生长,InGaAs或AlGaAsSb缓冲层,GaAsSb盖层,高In组分InGaAs应变减小层技术,以及引入Sb元素,能拓展InAs量子点的发光波长至1.55微米,然而量子点表面和界面缺陷导致发光特性严重变差。Sb对InAs量子点材料的缺陷、面密度、均匀性及光学特性均有影响。

半导体衬底晶体材料生长真空系统

一种适用于半导体衬底晶体材料生长的真空系统，包括晶体生长真空室和高真空系统，所述高真空系统包括用于抽真空的直联旋叶式机械泵、钛离子泵和冷却阱，直联旋叶式机械泵经预真空阀门、真空管道接钛离子泵，钛离子泵经冷却阱、阀门、高真空管道、高真空阀接晶体生长真空室。本发明为半导体衬底晶体材料生长提供一个优质洁净的超高真空环境，真空室内极限真空度可达3×10^-8Pa。

上海微系统所锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展

近期，中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室SOI（绝缘体上硅）材料与器件课题组在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得新进展。制备绝缘体上石墨烯是推动石墨烯在微电子领域应用的重要基础条件，针对这一需求，SOI材料与器件课题组的研究人员使用锗薄膜做催化剂，通过化学气相沉积（CVD）方法成功在二氧化硅、蓝宝石、石英玻璃等绝缘衬底上制备出高质量单层石墨烯材料，并将其成功应用于除雾器等电加热器件。

中科院锗辅助绝缘体上石墨烯材料生长研究获进展

中国科学院上海微系统与信息技术研究所的研究人员在绝缘体衬底上直接制备石墨烯研究方面取得丫新进展，为获得晶圆级绝缘体上石墨烯奠定了基础，有助于推动石墨烯材料在做电子领域的应用。

MOCVD材料生长重大装备项目

一、项目概况 MOCVD（Metal Organic Cheroical Vapor Deposition）材料生长装备，即金属有机物化学气相沉积设备，是化合物半导体外延材料研究和生产的关键设备，特别适合化物半导体功能结构材料的规模化生产，是其它半导体设备所无法替代的核心半导体装备，

AlGaN材料的MOCVD生长研究

文章研究了A lGaN材料的MOCVD生长机制。在位监控曲线表明,A lGaN材料生长过程是由三维生长逐渐过渡到二维生长,由于A l原子表面迁移率太小,随着TMA l流量的增加,需要更长的时间才能出现二维生长,材料质量也随着A l组分的增加而下降,A lGaN的表面形貌也变差。随着TMA l流量的增加,A lGaN材料的生长速率反而下降,这是由于A l原子阻止了Ga原子参与材料生长。实验还发现,由于TMA l与NH3之间存在强烈的寄生反应,A lGaN材料中的A l组分远小于气相中的A l组分。文中简单探讨了提高A lGaN材料质量的生长方法。

建筑师视野中的可生长建筑材料

伴随着地球环境的日益恶化及全球性的能源危机,生态建筑成为未来建筑发展的必然趋势。从建筑的物质基础——建筑材料入手,围绕可生长建筑材料分别对其具有的生态意义、在建筑设计中的广泛应用以及影响其使用的各种因素作较为详尽的分析与阐述,并得出相关结论,旨在倡导建筑师合理使用各种可生长建筑材料,真正实现建筑的生态设计。

集成二维材料非线性光学特性研究进展

全光信号处理中具有优异非线性光学特性的光子平台对于提升器件的集成度、调制速度以及工作带宽等性能参数至关重要.成熟的硅、氧化硅以及氮化硅光子平台由于材料本身中心对称,基于这些平台的集成光子器件可实现的非线性光学功能受限;二维材料尽管有着优异的非线性光学特性,但只有原子层厚,其非线性潜能无法被充分利用.将二维材料与成熟的光子平台集成,在充分利用光子平台成熟加工工艺的基础上,可以显著提高光与二维材料的相互作用,提升光子平台的非线性光学性能.基于以上背景,本文总结了近年来在基于转移方法和直接生长法制备的多种异质集成二维材料光子器件中进行非线性光学特性研究的最新进展;阐述了相较于传统转移方法,基于直接生长方法进行集成二维材料非线性光学研究的优势以及未来需要解决的技术难点;指明了该领域未来的研究发展趋势;并指出直接在各种成熟的光子平台上生长二维材料进行集成非线性光学特性的研究会对未来光通信、信号处理、光传感以及量子技术等领域的发展产生深远影响.

骨缺损整复中的生长因子载体材料

对近年来发展迅速的有关骨缺损重建的生长因子载体进行综述。载体材料包括 :钙磷陶瓷、α -聚酯、脱矿骨基质、胶原、钛合金、纤维蛋白粘合剂等。载体作为生长因子的缓释系统 ,同时是诱导引导成骨的支架 ,而生长因子则通过自分泌或旁分泌途径诱导或促进间充质细胞向成骨细胞或成软骨细胞分化。由于各种载体在生物力学、组织学反应及生长因子的结合等方面存在着差异 。

GaN-MOCVD深紫外LED材料生长设备

本课题的主要研究内容是针对GaN基深紫外LED外延材料生长的MOCVD设备的研制、开发和生产。研制的MOCVD设备基本性能指标：

铝酸锂上非极性面氮化镓基LED材料生长与器件

我国能源危机日益严峻，而半导体照明可大大达到节电目的。半导体照明技术广泛应用于白光通用照明、装饰照明、汽车等各类运输工具照明、交通信号显示、背景显示、大屏幕、特种工作照明、军用照明及旅游、轻工产品等各个领域。业内普遍认为，如同晶体管代替电子管一样，半导体灯替代传统的白炽灯和荧光灯是大势所趋。

可生长建筑材料在湖南地区屋面构造中的应用研究

可生长建筑材料具有很好的环境协调性,生态意义重大。湖南地区可生长建筑材料种类丰富、分布广泛。可生长建筑材料在湖南地区传统建筑屋面构造中的应用主要是以木或竹做屋架,以草本植物做隔热保温垫层,铺设瓦片。随科技的进步,环保型秸秆纤维超强聚酯瓦等各种新型可生长建材研发出来并应用于湖南地区现代建筑屋面构造中。另外,更为生态节能的绿色种植屋面技术在湖南也不断在进步完善,得以推广。

液相外延生长高质量大功率InGaAsP/GaAs半导体激光器研究

用改进的液相外延法生长了大功率 In Ga As P/Ga As半导体激光器 ,实验测量和理论分析都表明用该方法生长的单量子阱分别限制异质结构 ,达到了设计要求 ,阈值电流密度为 30 0 A/cm2 ,斜率效率达 1 .32 W/A。

半导体SiC材料研究进展及其应用

作为第三代的半导体材料,SiC具有带隙宽、热导率高、电子的饱和漂移速度大、临界击穿电场高和介电常数低、化学稳定性好等特点,在高频、大功率、耐高温、抗辐照的半导体器件及紫外探测器等方面具有广泛的应用前景。文章综述了碳化硅的发展历史,介绍了SiC材料的生长工艺技术,并简要讨论了SiC器件主要应用领域和前景。

浅析可生长建筑材料在建筑中的应用

随着人类社会的不断发展,人们对生存环境的主观要求越来越高,同时,人们对人与自然友好相处、和谐共存的重要性的认识也在不断加深,自然地也就对生态环境更加重视。在建筑行业,对建筑的改造应运而生,建筑行业也越来越趋向于生态和谐发展。在建筑的各个领域中,建筑材料扮演着至关重要的角色。绿色的建筑材料直接影响着建筑的整体效果。在人类的各项生产、生存活动中,建筑建造对自然产生非常严重的破坏,大规模的建筑建造不仅仅是对地球各种资源的汲取,同时也对环境中的水、空气、树木等很多因素产生破坏,甚至带来严重污染。如果人类希望能够得到适于生存的环境质量,在地球长久生存,就必定要改变原有一味索取、践踏生态环境的固有思想,要向人与地球和谐共存,绿色可持续发展的理念不断靠拢。本论文在环境、建筑材料等多方面展开研究,充分考虑到建筑设计师们在设计过程中有所影响的各个因素,并对建筑材料的使用提出建议,具有一定理论和实践上的指导意义。

适于PMOSFET的局部双轴压应变Si_(0.8)Ge_(0.2)的生长

通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。