基于AD5933的8路水泥基材料电阻率检测仪研制

针对水泥基材料电阻率测量要求,以微控制器为控制核心,阻抗测量芯片AD5933为测量核心,辅助外围通道及反馈电阻选择电路,通过反馈系数修正及软件自动控制算法研制了测量范围为0-10 MΩ、支持RS485通讯的8通道全自动阻抗检测仪,通过公式换算可方便得到电阻率值。初步实验表明,所研制的检测仪可用于砂浆电阻率测量。

长波红外n-HgCdTe材料的电阻比值与载流子寿命关系

少数载流子寿命是长波红外HgCdTe材料的重要性能参数。从大量实验数据统计中发现长波红外n型HgCdTe材料的液氮温度电阻和室温电阻的比值与材料载流子寿命有一定关系，电阻比值在2～6之间有较大的载流子寿命值，而电阻比值大于10的寿命值较小。

Sol-gel法制备La_(1-x)Sr_xMnO_3巨磁电阻薄膜材料

利用ｓｏｌ－ｇｅｌ法在单晶硅Ｓｉ（１００）衬底上，制备了钙钛矿Ｌａ１－ｘＳｒｘＭｎＯ３（ＬＳＭＯ）低织构纳米晶薄膜．考察了制备条件对ＬＳＭＯ成相、晶粒的粒度和表面形貌的影响，研究了其磁特性和磁电阻性能．结果表明，Ｌａ０．７Ｓｒ０．３ＭｎＯ３薄膜磁电阻效应在相当宽的温度范围内不随温度改变，在６Ｔ磁场中室温下磁电阻比ＭＲ值可达－３０％

场致电阻材料在强电磁脉冲防护中的应用展望

为同时实现电子信息装备正常电磁环境下工作和强电磁脉冲下电磁防护的双重功能,介绍了一种在电磁场下具有变阻抗特性的智能电磁防护材料,场致电阻材料。该防护材料利用其在强电磁场下发生绝缘体/导体相变的特性,可以实现在强电磁脉冲辐射下防护材料由高阻抗向低阻抗的转变。场致电阻材料用于电磁防护具有电磁能量选择特性,对于低功率的安全电磁波可以高效透射,而对高功率的电磁脉冲则有效屏蔽,从而达到快速感知电磁环境变化并迅速调节电磁性能的要求。介绍了几种场致电阻材料,分析了其在电磁脉冲防护领域中应用的优缺点,并对未来强电磁脉冲防护材料的发展进行了展望。

高温NTC热敏电阻材料的研究进展

高温NTC热敏电阻材料可制备用于汽车电子、军工、航天等领域超宽温区测温的热敏元件。概述了高温NTC热敏电阻材料的研究,主要集中在具有钙钛矿结构的材料体系以及材料的掺杂改性研究上。基于钙钛矿结构热敏材料NTC效应机理的解释大多集中在氧空位迁移模型、电子跃迁模型和渗流理论等方面,提出应用于高温宽温区测温的具有高电阻率低热敏常数特性的NTC热敏材料是高温NTC材料的发展方向。

一种新型线性电阻材料──ZnO陶瓷

ＺｎＯ线性电阻是由ＺｎＯ晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻边界层。它具有很大的耐浪涌能量、线性的Ｖ－Ｉ特性、小的正电阻温度系数。本文讨论了配方及工艺对ＺｎＯ线性电阻性能的影响，并探讨了２ｎＯ线性电阻的微观结构和导电机理。

巨磁电阻材料的研究与应用

介绍了一种新型的磁性功能材料———巨磁电阻材料 ,综述了其研究进展情况。并就它在巨磁电阻传感器、高密度磁记录读出磁头、巨磁电阻随机存储器以及自旋晶体管等磁电子元器件上的应用进行了论述。

纳米巨磁电阻材料的电化学制备及其应用

巨磁电阻材料大多采用物理法制备．与溅射法、分子束外延等方法相比,电化学法具有设备简单、成本低廉、低温操作、过程可控等优势,是制备巨磁电阻材料的良好途径．为此,针对国内外巨磁电阻材料的研究状况,结合多年来本研究室在该领域的研究工作,介绍了一维纳米多层线、二维纳米金属多层膜、自旋阀和颗粒膜等巨磁电阻材料的电化学制备方法、表征及磁电阻性能．简述了巨磁电阻材料在超高灵敏度微型传感器、巨磁电阻磁盘、读出磁头、磁随机存储器和磁电子器件等方面的应用,并对发展前景和研究方向进行了展望．

巨磁电阻材料与信息存储及其对化学的挑战

介绍了巨磁电阻材料在信息存储中用于硬盘驱动器读出磁头的巨大应用前景，讨论了当今采用化学方法制备和研究这类材料的进展及存在的问题。

SmSrMnO巨磁电阻材料晶格不稳定性研究

对Ｓｍ ２／３Ｓｒ１／３ ＭｎＯ３＋ δ巨磁电阻材料样品在７７ Ｋ 至室温范围进行了正电子寿命谱和多普勒展宽谱测量．结果显示，正电子平均寿命τｍ 随着温度的降低在２００～１５０ Ｋ 温区出现与晶格结构不稳定有关的反常下降， 这一过程发生在磁有序起始温度之前；而伴随着绝缘体－金属型转变（１１５ Ｋ），多普勒展宽谱参数Ｓ明显增加，表明了电子的离域化．

巨磁电阻材料La_(0.7)Ba_(0.3)Fe_xMn_(1-x)O_3的研究

采用溶胶-凝胶工艺制备了La0.7Ba0.3FexMn1-xO3化合物．研究了Fe掺杂对La－Ba－Mn－O体系的磁性、导电性和磁电阻效应的影响．

压敏电阻陶瓷材料的研究进展

详细介绍了目前国内外研究最多的低压压敏陶瓷材料(ZnO系、BaTiO3系、TiO2系、WO3系)、电容–压敏陶瓷材料(SrTiO3系、TiO2系)及高压–压敏陶瓷材料(ZnO系、SnO2系)等的基本配方、制备工艺、性能及主要应用等。还讨论了我国在压敏电阻器研究与生产方面所存在的问题及今后的研究方向。

磁电阻材料及其应用的研究进展

本文综述了磁电阻 (MR)材料的研究进展 ,并对目前研究热点的四类巨磁电阻 (GMR)材料进行了概括评述 ,侧重论述MR材料在信息存储等领域的应用 。

氧化钒与聚合物复合的热敏电阻材料

将过渡金属氧化物（Ｖ２Ｏ３、Ｖ２Ｏ５）分别与高密度聚乙烯（ＨＤＰＥ）、低密度聚乙烯（ＬＤＰＥ）、聚丙烯（ＰＰ）复合制备热敏电阻材料，其室温电阻率最低可达０．４Ω·ｃｍ，ＰＴＣ效应（ρｍａｘ／ρ２５℃）高达１０１０数量级。本文研究了导电微粒、聚合物的种类、数量对室温电阻率和ＰＴＣ效应的影响规律，并对复合材料的微观结构进行分析，用电子隧道效应理论解释了材料的ＰＴＣ效应。

钌酸铋、铱酸铋厚膜电阻材料

当配比Bi_2Ru_2O_7/玻璃从15/85变化到70/30,850℃烧结后,方阻从1.60MQ/□变到6.28Ω/□,TCR从-60ppm/℃变到200ppm/℃。当配比Bi_2Ir_2O_7/玻璃从20/80变到70/30,780℃烧结,方阻从1.1MΩ/□变到77.9Ω/□,TCR从-274ppm/℃变到269ppm/℃。高温(950℃)煅烧制得的Bi_2Ru_2O_7、Bi_2Ir_2O_7与低温(600℃、700℃)制得的相比,方阻高,TCR较负,前者宜作高电阻膜,后者宜作低电阻膜。掺入Al_2O_3、SiO_2使方阻增大,而TCR和噪声良好,TiO_2使TCR较负。Au粉使方阻急降,但改善TCR。Pt粉对方阻和TCR无明显影响。Bi_2O_3或MnO_2使TCR由正值偏向负值方向。150℃、1000小时热存放后,Bi_2Ru_2O_7低阻变化较大,高阻变化率为±1％;Bi_2Ir_2O_7阻值变化率小于0.8％。Bi_2Ir_2O_7与Bi_2Ru_2O_7相比,噪声低,TCR略大。

巨磁电阻材料及其在电子元器件上的应用

介绍了一种新型的磁性功能材料——巨磁电阻薄膜材料，并就它在巨磁电阻传感器、高密度磁记录读磁头以及巨磁电阻随机存储器等电子元器件上的应用作了一些论述。

巨磁电阻材料磁电阻测量方法研究

介绍了利用 ZDY型自动磁场成型机、电脑化 X Y记录仪、计算机、HSZ 1数字磁强计等仪器测量巨磁电阻材料磁电阻的方法 。

复合厚膜NTC热敏电阻材料的研究

本文研究了一种新型复合厚膜 NTC 热敏电阻材料。这种材料是由负温度系数热敏半导体陶瓷(简称 NTC 热敏半导瓷)、硼硅酸铅系玻璃粉和适量的导体粉末(银粉)组成的三成份体系复合材料。与由 NTC 热敏半导瓷一玻璃粉组成的常规二成份体系相比,用这种复合材料制成的厚膜 NTC 热敏电阻器的性能更优良。文中通过电阻器的微观结构及其等效电路,较好地解释了材料结构与性能的关系。

巨磁电阻材料及应用

介绍了什么是巨磁电阻效应,以及由此获得的一种新型功能材料—巨磁电阻材料;巨磁电阻材料的不同类型,描述了其特性;此外还介绍了用于计算机硬磁盘驱动器的巨磁电阻磁头和巨磁电阻随机存储器的最新应用和开发,指出巨磁电阻材料在传感器等方面的应用也令人瞩目,有着广阔的市场前景.