近期,美国国家材料科学研究所(NIMS)团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管(MOSFET)。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化(在一个半导体基板内集成多个器件),实现其耐环境型互补式金...近期,美国国家材料科学研究所(NIMS)团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管(MOSFET)。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化(在一个半导体基板内集成多个器件),实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体(CMOS)集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on N-Type Diamond”为题发表在Advanced Science上。展开更多
2022年11月7日,《自然•电子学》(Nature Electronics)在线发表了北京航空航天大学材料科学与工程学院刘知琪教授课题组题为“An anomalous Hall effect in altermagnetic ruthenium dioxide”的研究成果。北京航空航天大学博士生冯泽鑫...2022年11月7日,《自然•电子学》(Nature Electronics)在线发表了北京航空航天大学材料科学与工程学院刘知琪教授课题组题为“An anomalous Hall effect in altermagnetic ruthenium dioxide”的研究成果。北京航空航天大学博士生冯泽鑫、周晓荣以及德国美因茨大学LiborŠmejkal博士作为论文共同第一作者。展开更多
文摘近期,美国国家材料科学研究所(NIMS)团队研发了世界上第一个基于金刚石n型沟道驱动的金属氧化膜半导体场效应晶体管(MOSFET)。该成果对于以普通电子器件IC为代表的单片集成化(在一个半导体基板内集成多个器件),实现其耐环境型互补式金属氧化膜半导体(CMOS)集成电路。该研究进展以“High-Temperature and High-Electron Mobility Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors Based on N-Type Diamond”为题发表在Advanced Science上。
文摘2022年11月7日,《自然•电子学》(Nature Electronics)在线发表了北京航空航天大学材料科学与工程学院刘知琪教授课题组题为“An anomalous Hall effect in altermagnetic ruthenium dioxide”的研究成果。北京航空航天大学博士生冯泽鑫、周晓荣以及德国美因茨大学LiborŠmejkal博士作为论文共同第一作者。