SnO_2导电薄膜的制备与研究

采用R.F反应溅射法制备SnO2导电薄膜,用XRD、AFM、XPS研究了薄膜的结构和组成对导电性能的影响。XRD和AFM研究表明,随着衬底温度的增加,SnO2薄膜从非晶向多晶结构转变,表面粗糙度减弱,薄膜的表面电阻大幅增加。采用XPS对薄膜表面成分进行分析,对不同衬底温度下Sn3d5/2拟合发现,薄膜表面存在Sn2+和Sn4+两种混合价态。随着衬底温度的增加,Sn3d5/2能谱位置与峰宽并没有变化。对O1s能谱进行Gaussian拟合后发现,薄膜表面的氧以晶格氧(Ol2at-)和化学吸附氧(Oab-s)两种方式存在。实验证明,Oa-bs含量与SnO2表面电阻成正比关系。

中频等离子体化学气相沉积法制备ZnO薄膜

ZnO是一种多功能材料,目前处于世界范围的研究热潮中。为了拓展和改善ZnO的应用,采用中频等离子体化学气相沉积法(MF-PCVD)制备了ZnO薄膜,并研究了衬底温度对晶型和成膜速率的影响．