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B位掺杂对Pb[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.5)]_x(Zr_(0.825)Ti_(0.175))_(1-x)O_3系陶瓷铁电畴反转的影响
被引量:
3
1
作者
姜胜林
仝金雨
+1 位作者
张海波
任伏龙
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期303-307,共5页
用传统陶瓷工艺制备了Pb[(Mn1/3Nb2/3)0.5(Mn1/3Sb2/3)0.5]x(Zr0.825Ti0.175)1-xO3(其中x为B位掺杂的摩尔分数,下同)系铁电陶瓷,研究了室温条件下电滞回线的特性。结果显示:当x≤0.1时,电滞回线出现“束腰”;当x=0.2时,“束腰”消失。用...
用传统陶瓷工艺制备了Pb[(Mn1/3Nb2/3)0.5(Mn1/3Sb2/3)0.5]x(Zr0.825Ti0.175)1-xO3(其中x为B位掺杂的摩尔分数,下同)系铁电陶瓷,研究了室温条件下电滞回线的特性。结果显示:当x≤0.1时,电滞回线出现“束腰”;当x=0.2时,“束腰”消失。用X射线光电子能谱、X射线衍射分析手段研究了“束腰”现象,并用氧缺位内偏场理论分析该现象的微观机理。结果表明:过量Mn偏析于晶界,使材料的晶界具有p型导电性,偏析Mn的量越多,晶界p型导电性越强,氧缺位钉扎电畴的能力下降,电畴容易反转,进而导致“束腰”现象消失。另外,随着x增大,剩余极化强度先增大后减小,矫顽场逐渐增大。
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关键词
铁电陶瓷
电滞回线
“
束
腰
”
现象
下载PDF
职称材料
由Pb过量引起的镧钛酸铅铁电薄膜性能异常的研究
被引量:
5
2
作者
宋志棠
任巍
+1 位作者
张良莹
姚熹
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第9期1849-1862,共14页
采用金属有机物热分解法制备了不同La含量和不同Pb过量的镧钛酸铅铁电薄膜.在研究铁电性时发现:薄膜样品在极化达到饱和之前,电滞回线会出现束腰现象,束腰现象只与薄膜中的Pb过量有关.随Pb过量的增加和La含量的减少,镧...
采用金属有机物热分解法制备了不同La含量和不同Pb过量的镧钛酸铅铁电薄膜.在研究铁电性时发现:薄膜样品在极化达到饱和之前,电滞回线会出现束腰现象,束腰现象只与薄膜中的Pb过量有关.随Pb过量的增加和La含量的减少,镧钛酸铅薄膜电滞回线的束腰程度加剧.在CV特性测试中发现:在Pb过量的样品中,CV曲线会出现异常的四峰现象,随偏压升高或频率增大,异常程度逐渐减弱甚至会转变成正常的双峰.进一步研究表明:这两种实验现象是统一的,可以用铁电薄膜电畴的钉扎效应解释.由于Pb过量使正常的钙钛矿薄膜中出现了多余的PbO相,多余的PbO相部分聚集在晶界和界面上,另一部分存在于晶斑边界中.它们构成了钉扎中心,对电畴产生钉扎作用,在极化电压不太高的情况下,部分电畴不能克服钉扎力的作用,因此产生上述异常现象.Pb过量可能是铁电薄膜产生疲劳和老化的主要原因之一.
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关键词
薄膜
镧钛酸铅
铁电薄膜
铅过量
束腰现象
原文传递
题名
B位掺杂对Pb[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.5)]_x(Zr_(0.825)Ti_(0.175))_(1-x)O_3系陶瓷铁电畴反转的影响
被引量:
3
1
作者
姜胜林
仝金雨
张海波
任伏龙
机构
华中科技大学电子科学与技术系
出处
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第3期303-307,共5页
基金
国家'973'计划(2004CB619300)
新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0703)
华中科技大学研究生创新基金(HF041320066185)资助项目
文摘
用传统陶瓷工艺制备了Pb[(Mn1/3Nb2/3)0.5(Mn1/3Sb2/3)0.5]x(Zr0.825Ti0.175)1-xO3(其中x为B位掺杂的摩尔分数,下同)系铁电陶瓷,研究了室温条件下电滞回线的特性。结果显示:当x≤0.1时,电滞回线出现“束腰”;当x=0.2时,“束腰”消失。用X射线光电子能谱、X射线衍射分析手段研究了“束腰”现象,并用氧缺位内偏场理论分析该现象的微观机理。结果表明:过量Mn偏析于晶界,使材料的晶界具有p型导电性,偏析Mn的量越多,晶界p型导电性越强,氧缺位钉扎电畴的能力下降,电畴容易反转,进而导致“束腰”现象消失。另外,随着x增大,剩余极化强度先增大后减小,矫顽场逐渐增大。
关键词
铁电陶瓷
电滞回线
“
束
腰
”
现象
Keywords
ferroelectric ceramics
ferroelectric hysteresis
constriction
分类号
TM282 [一般工业技术—材料科学与工程]
下载PDF
职称材料
题名
由Pb过量引起的镧钛酸铅铁电薄膜性能异常的研究
被引量:
5
2
作者
宋志棠
任巍
张良莹
姚熹
机构
西安交通大学电子材料与器件研究所
出处
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997年第9期1849-1862,共14页
基金
国家自然科学基金
文摘
采用金属有机物热分解法制备了不同La含量和不同Pb过量的镧钛酸铅铁电薄膜.在研究铁电性时发现:薄膜样品在极化达到饱和之前,电滞回线会出现束腰现象,束腰现象只与薄膜中的Pb过量有关.随Pb过量的增加和La含量的减少,镧钛酸铅薄膜电滞回线的束腰程度加剧.在CV特性测试中发现:在Pb过量的样品中,CV曲线会出现异常的四峰现象,随偏压升高或频率增大,异常程度逐渐减弱甚至会转变成正常的双峰.进一步研究表明:这两种实验现象是统一的,可以用铁电薄膜电畴的钉扎效应解释.由于Pb过量使正常的钙钛矿薄膜中出现了多余的PbO相,多余的PbO相部分聚集在晶界和界面上,另一部分存在于晶斑边界中.它们构成了钉扎中心,对电畴产生钉扎作用,在极化电压不太高的情况下,部分电畴不能克服钉扎力的作用,因此产生上述异常现象.Pb过量可能是铁电薄膜产生疲劳和老化的主要原因之一.
关键词
薄膜
镧钛酸铅
铁电薄膜
铅过量
束腰现象
分类号
O484 [理学—固体物理]
TM221 [一般工业技术—材料科学与工程]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
B位掺杂对Pb[(Mn_(1/3)Nb_(2/3))_(0.5)(Mn_(1/3)Sb_(2/3))_(0.5)]_x(Zr_(0.825)Ti_(0.175))_(1-x)O_3系陶瓷铁电畴反转的影响
姜胜林
仝金雨
张海波
任伏龙
《硅酸盐学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
3
下载PDF
职称材料
2
由Pb过量引起的镧钛酸铅铁电薄膜性能异常的研究
宋志棠
任巍
张良莹
姚熹
《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
1997
5
原文传递
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