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用于视觉假体的新型高动态范围图像传感器像素单元电路设计
被引量:
5
1
作者
隋晓红
高勇
+2 位作者
赵阶喜
杨媛
任秋实
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期1800-1804,共5页
针对于视觉假体的应用领域,本文提出了一种新型的高动态范围的CMOS图像传感器(CMOS ImageSensor,CIS)像素单元电路.该电路采用了列共用单元的条件溢出电容和多次积分技术,大大提高了图像传感器的动态范围,同时使其在低光照时保持较高的...
针对于视觉假体的应用领域,本文提出了一种新型的高动态范围的CMOS图像传感器(CMOS ImageSensor,CIS)像素单元电路.该电路采用了列共用单元的条件溢出电容和多次积分技术,大大提高了图像传感器的动态范围,同时使其在低光照时保持较高的灵敏度和信噪比.采用了特许半导体公司的0.35μm CMOS工艺参数对该电路进行了仿真,结果表明所设计的电路比普通四晶体管有源像素传感器(4 Transistor Active Pixel Sensor,4T APS)电路的动态范围提高了约62dB,并且在低光照时保持了普通4T APS的高信噪比和灵敏度的特点.
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关键词
视觉假体
图像传感器
高动态范围
条件溢出电容
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职称材料
题名
用于视觉假体的新型高动态范围图像传感器像素单元电路设计
被引量:
5
1
作者
隋晓红
高勇
赵阶喜
杨媛
任秋实
机构
上海交通大学生物医学工程学院
西安理工大学自动化与信息工程学院
北京大学工学院
出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011年第8期1800-1804,共5页
基金
国家自然青年科学基金(No.30700217)
国家973重点基础研究发展计划(No.2011CB707502
+1 种基金
No.2011CB707505)
陕西省自然科学基金(No.2009JQ8014)
文摘
针对于视觉假体的应用领域,本文提出了一种新型的高动态范围的CMOS图像传感器(CMOS ImageSensor,CIS)像素单元电路.该电路采用了列共用单元的条件溢出电容和多次积分技术,大大提高了图像传感器的动态范围,同时使其在低光照时保持较高的灵敏度和信噪比.采用了特许半导体公司的0.35μm CMOS工艺参数对该电路进行了仿真,结果表明所设计的电路比普通四晶体管有源像素传感器(4 Transistor Active Pixel Sensor,4T APS)电路的动态范围提高了约62dB,并且在低光照时保持了普通4T APS的高信噪比和灵敏度的特点.
关键词
视觉假体
图像传感器
高动态范围
条件溢出电容
Keywords
visual prosthesis
CMOS image sensor
dynamic range
conditions overflow capacitors
分类号
TN492 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
用于视觉假体的新型高动态范围图像传感器像素单元电路设计
隋晓红
高勇
赵阶喜
杨媛
任秋实
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2011
5
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职称材料
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