接近式光刻中基于条纹相位解析的掩模硅片面内倾斜校正研究

针对接近式光刻中掩模硅片面内倾斜提出一种条纹相位解析方法。该方法通过2D傅里叶变换结合2D汉宁窗对于掩模硅片在面内发生的倾斜而形成的倾斜条纹进行处理,获得掩模硅片在面内的倾斜角度,进而进行倾斜校正。数值模拟与实验验证了该方法的可行性与有效性。结果表明,该方法能准确获得掩模硅片在面内的倾斜角度并进行校正。