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硅片表面球形粒子散射研究 被引量：6
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作者 曹楷 程兆谷 高海军 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第4期517-520,共4页
为求解硅片表面微小粒子在任意线偏振平面入射光照射下的散射光光强分布,选择了基于Mie散射的杨氏模型为依据,推导了该模型下散射光强空间分布的计算方法,并给出了0.54μm球形粒子在垂直、倾斜入射下光强空间分布的模拟计算结果,以及入... 为求解硅片表面微小粒子在任意线偏振平面入射光照射下的散射光光强分布,选择了基于Mie散射的杨氏模型为依据,推导了该模型下散射光强空间分布的计算方法,并给出了0.54μm球形粒子在垂直、倾斜入射下光强空间分布的模拟计算结果,以及入射平面第一象限内散射光强与国外已发表实验结果的比较· 展开更多
关键词 硅片 散射 米氏理论 杨氏模型 微分散射截面
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