基于板上封装技术的大功率LED热分析

根据大功率LED板上封装(COB)技术的结构特点,提出三种COB方法。第一种方法是把芯片直接键合在铝制散热器上(COB—III型),另外两种方法是分别把芯片键合在铝基板上和铝基板的印刷线路板上(COB—II和COB—I型),并对三种COB的热特性进行有限元模拟、实验测量和对照分析。结果表明:在环境温度为30℃时,采用第一种封装方法的芯片结温比第二、三种方法分别下降21.5,42.7℃,热阻也分别下降25.7,58.8 K/W;采用第一种封装方法的芯片光衰小于第二、三种封装方法。

基于共晶焊接工艺和板上封装技术的大功率LED热特性分析

采用ANSYS有限元热分析软件,模拟了基于共晶焊接工艺和板上封装技术的大功率LED器件,并对比分析了COB封装器件与传统分立器件、共晶焊工艺与固晶胶粘接工艺的散热性能。结果表明:采用COB封装结构和共晶焊接工艺能获得更低热阻的LED灯具;芯片温度随芯片间距的减小而增大;固晶层厚度增大,芯片温度增大,而最大热应力减小。同时采用COB封装方式和共晶焊接工艺,并优化芯片间距和固晶层厚度,能有效改善大功率LED的热特性。