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单晶硅位错纳观应变场的极值点定位分析
1
作者
董照实
赵春旺
刘道森
《内蒙古工业大学学报(自然科学版)》
2011年第3期192-196,共5页
本文采用了具有次纳米精度的纳观应变场测量方法——极值点定位,在纳米尺度测定了单晶硅位错应变场,给出了位错芯周围数纳米区域的εxx、εyy、εxy全场应变分布图。位错芯周围是应变集中区域,位错芯前方是拉应变,位错芯后方是压应变。...
本文采用了具有次纳米精度的纳观应变场测量方法——极值点定位,在纳米尺度测定了单晶硅位错应变场,给出了位错芯周围数纳米区域的εxx、εyy、εxy全场应变分布图。位错芯周围是应变集中区域,位错芯前方是拉应变,位错芯后方是压应变。将应变测量结果与Peierls-Nabarro位错模型进行了对比,结果证实Peierls-Nabarro位错模型能够在纳米尺度准确描述单晶硅位错的应变场。
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关键词
位错
应变
极值点定位
高分辨透射电子显微镜
硅
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职称材料
题名
单晶硅位错纳观应变场的极值点定位分析
1
作者
董照实
赵春旺
刘道森
机构
内蒙古工业大学理学院
出处
《内蒙古工业大学学报(自然科学版)》
2011年第3期192-196,共5页
基金
国家自然科学基金(10862002)
文摘
本文采用了具有次纳米精度的纳观应变场测量方法——极值点定位,在纳米尺度测定了单晶硅位错应变场,给出了位错芯周围数纳米区域的εxx、εyy、εxy全场应变分布图。位错芯周围是应变集中区域,位错芯前方是拉应变,位错芯后方是压应变。将应变测量结果与Peierls-Nabarro位错模型进行了对比,结果证实Peierls-Nabarro位错模型能够在纳米尺度准确描述单晶硅位错的应变场。
关键词
位错
应变
极值点定位
高分辨透射电子显微镜
硅
Keywords
dislocation
strain filed
peak finding
high resolution transmission electron microscopy
silicon
分类号
O412.3 [理学—理论物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
单晶硅位错纳观应变场的极值点定位分析
董照实
赵春旺
刘道森
《内蒙古工业大学学报(自然科学版)》
2011
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