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钇改性PZT薄膜的极化印刻研究 被引量：2
1
作者 仇萍荪 罗维根 丁爱丽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第5期928-932,共5页
铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ... 铁电ＰＺＴ薄膜的极化印刻（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）是ＰＺＴ不挥发存储器失效的重要原因之一．本文研究了不同钇量改性的ＰＺＴ（４０／６０）铁电薄膜在高温（１２０℃）和偏置电压下的极化印刻特性，发现适量的钇掺杂，改善了ＰＺＴ薄膜电容器单元的极化印刻． 展开更多
关键词 铁电薄膜 Y-PZT薄膜 极化印刻 铁电电容 存储器 材料 钇 改性 掺杂
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