极化子效应对非对称量子阱中光吸收系数的影响(英文)

从理论上研究子电子-声子相互作用对Morse量子阱中光吸收系数的影响,首先利用微扰论方法求出考虑极化子效应时的电子波函数和能级,然后利用密度矩阵和迭代法得到光吸收系数的解析表达式,最后以典型的GaAs/AlGaAs Morse量子阱为例进行数值计算。结果表明,极化子效应使光吸收系数比仅考虑电子的情况增大了,并且在相同光强的情况下吸收饱和现象更明显;极化子效应的影响随着阱的非对称性的增强而增大;电声相互作用对电子能级的修正导致光吸收系数峰值向高能方向偏移。

极化子效应对ZnS/CdSe量子点三阶极化率的影响

在有效质量近似下,利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型,从理论上计算了考虑极化子效应后在导带子带间跃迁时ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点二次电光效应(QEOE)和电吸收过程(EA)的三阶极化率。通过数值计算,分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点二次电光效应和电吸收过程的三阶极化率的影响。结果表明,极化子效应对二次电光效应的三阶极化率χQEDE(3)和电吸收过程的三阶极化率χE(3A)都有很大影响,并且影响的大小与量子点的尺寸大小有关。

极化子效应对ZnS/CdSe柱型核壳量子点简并四波混频过程的影响

理论计算了带有极化子效应的ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率.在有效质量近似下,采用无限深势阱模型,导出了带有极化子效应的柱型量子点的三阶非线性光学极化率的解析表达式,解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe核壳结构量子点简并四波混频的三阶极化率的影响.结果表明,当量子点尺寸一定时,带有极化子效应的χ(3)DFWM比没有极化子时的三阶极化率提高了近3个数量级,并且电子-LO声子的影响比电子-IO声子的影响大得多;当固定核壳量子点的阱宽而内外半径发生变化时,χ(3)DFWM的峰值随之变化,而且极化子效应影响的大小也随之发生变化.

压力下极化子效应对有限深量子阱中施主结合能的影响

考虑压力及屏蔽效应,同时计入量子阱结构中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子)的作用,利用改进的LLP中间耦合方法处理电子-声子相互作用,讨论有限深量子阱中极化子效应对杂质态结合能的影响.结果表明,极化子效应使杂质态结合能明显降低,但压力使极化子效应减弱,屏蔽对极化子效应的影响不明显.

杂质态束缚极化子效应对量子线中三次谐波振荡的影响

本文就杂质束缚极化子效应对量子线中三次谐波振荡的影响作了理论计算利用量子力学中的密度矩阵算符理论导出了该系统中三次谐波振荡的解析表达式最后以典型的ＧａＡｓ量子线为例作了数值计算

极化子效应对核壳量子点中光学克尔效应的影响

在有效质量近似下利用量子力学的密度矩阵理论,采用无限深势阱模型解三维薛定谔方程得到电子的本征能量和波函数.从理论上计算了考虑极化子效应后,在导带子带间跃迁时ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率.通过数值计算,分析了电子-LO声子和电子-IO声子相互作用对ZnS/CdSe柱型核壳结构量子点光学克尔效应的三阶极化率的影响.结果表明:极化子效应对光学克尔效应的三阶极化率有很大影响,并且影响的大小与量子点的尺寸大小有关.

D^-中心量子点的极化子效应(英文)

利用少体物理的方法 ,研究了半导体量子点中负施主杂质低激发态能谱的极化子效应 ,发现随着量子点的尺寸改变 ,有和没有电—声相互作用的影响 ,其能级顺序的改变是不一样的 .另一方面 ,我们计算了负施主杂质中心的基本束缚能随量子点半径的变化关系 。

极性半导体异质界面上二维激子的极化子效应

计及电子－声子耦合计算了局域在极性－极性半导体异质结上的激子的结合能，得到了两支界面光学声子模对结合能的贡献．结果表明：对于重空穴激子结合能，界面声子起着重要作用，且两支界面声子模的贡献是可比拟的．对于ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ体系，讨论了构成异质结的混晶组份对结合能的影响．

D维量子阱中激子的声学极化子效应

考虑了无限高势垒量子阱,计算得出了零维、一维、二维和三维量子阱中激子-声学声子耦合导致的激子基态能量移动.结果表明,激子的声学极化子效应随材料带宽的增大而增大.

多孔硅发光中的极化子效应(英文)

多孔硅体现了许多新光学性质 ,本文通过温度依赖的发光、傅立叶红外谱、时间分辨红外谱的观察 ,发现了些有规律的信息。众所周知 ,多孔硅在空气中陈化氧化 ,导致内部纳米尺寸减小 ,界面层由氢变为氧。我们发现同时伴随着电子态从本征态向极化子态的变化。前者随尺寸减小能量升高 ,表现为正常的量子限域效应。而后者却随尺寸减小能量降低 ,表现为量子限域极化子效应。温度依赖的发光谱型和强度变化也清楚地反映了尺寸依赖的极化子行为 ,因此我们提出了个基本的物理模型来描述多孔硅中增强的极化子尺寸效应及其光学行为。

纤锌矿ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中的极化子效应

采用Lee-Low-Pines(LLP)变分法,研究了纤锌矿ZnO/Mgx Zn1-x O量子阱中自由极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的影响,给出极化子基态能量、跃迁能量,以及电子-声子相互作用对基态能量的贡献随阱宽和组分的变化关系.结果显示,极化子基态能量和跃迁能量随着量子阱宽度的增大而减小,最后趋近于ZnO体材料的三维值.在窄阱中,界面声子对极化子能量的贡献大于定域声子的贡献,而在宽阱中,情况正好相反.纤锌矿ZnO/Mgx Zn1-x O量子阱中电子-声子相互作用对极化子能量的贡献比较大,远大于GaAs/AIx Ga1-x As量子阱中的相应值,因此讨论电子态能级问题时应考虑电子-声子相互作用.

流体静压力对纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中极化子效应的影响

研究了纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱和GaN/AlxGa1-xN方量子阱中流体静压力对极化子能量和电子-声子相互作用对极化子能量的贡献(极化子效应)的影响.给出极化子基态能量、跃迁能量以及极化子效应随流体静压力p和组分x的变化关系.理论计算中考虑了纤锌矿结构中介电常数、声子频率、电子有效质量等参数的各向异性和随压力p和坐标z的变化.结果显示,随着流体静压力的增加,纤锌矿AlyGa1-yN/Al0.3Ga0.7N三角量子阱和GaN/Al0.3Ga0.7N方量子阱中极化子基态能量和跃迁能量缓慢减小.定域声子、半空间声子以及它们之和对基态能量的贡献随流体压力p的增加而逐渐增大,即极化子效应增大.随组分x的增加,在两种量子阱中极化子基态能量和跃迁能量逐渐增大.半空间声子对极化子基态能量的贡献随组分x的增加而降低,而定域声子对基态能量的贡献随组分x的增加而增加,它们之和对基态能量的贡献随组分x的增加而增大.纤锌矿AlyGa1-yN/AlxGa1-xN三角量子阱中极化子基态能量和跃迁能量以及极化子效应随流体静压力和组分的变化规律与GaN/AlxGa1-xN方量子阱结构中相应量的变化规律相似,但量值不同,前者中基态能量和跃迁能量以及极化子效应明显大于后者中相应值.

ZnO/Mg_xZn_(1-x)O量子阱中的极化子效应

通过Lee-Low-Pines(LLP)变分方法研究了纤锌矿ZnO/MgxZn1-xO有限深量子阱中电子与光学声子(定域声子、半空间声子)相互作用对极化子能级的影响,给出了极化子基态能量、跃迁能量和电子-声子相互作用对基态能量的移动随着阱宽和组分的变化关系.结果表明,在窄阱中,对系统能级的移动半空间声子要高于定域声子,而在宽阱中恰好和窄阱中的情况相反.定域(半空间)声子对极化子能级的移动随着阱宽的增大而变大(变小),最后接近体材料的三维值(0).当阱宽不变时,随着Mg组分x的增加,定域声子对极化子能级的移动缓慢增大,而半空间声子对极化子能级的移动则缓慢减小,最后接近于0.

极化子效应对量子线中Stark效应的影响

采用变分法及介电连续模型研究了量子线中的Ｓｔａｒｋ效应，分别计算了受限ＬＯ声子及表面声子对Ｓｔａｒｋ移动的修正．

抛物量子线中的极化子效应

在考虑电子与LO声子和电子与SO声子相互作用情况下,采用微扰法研究圆柱形自由抛物量子线中极化子效应.计算量子线中两种声子对极化子自能和电子有效质量的影响.结果表明:随着量子线半径的减小LO声子对极化子自能和电子有效质量的影响相对小些,而SO声子对极化子自能和电子有效质量的影响却显著增加.

极化子效应对量子盘中线性和非线性光吸收系数的影响

利用密度矩阵的方法 ,得出了考虑极化子效应的量子盘的线性和非线性光吸收系数的解析表达式 ,并以GaAs为例讨论了光吸收系数与不同的入射光子能量和量子盘的厚度之间的关系 .结果表明 。

温度和极化子效应对准二维强耦合激子基态的影响

采用Huybrechts线性组合算符和Lee-Low-Pines变换法研究了温度和极化子效应对量子阱中激子与界面光学声子强耦合又与体纵光学声子弱耦合体系基态的影响,推导出激子基态的诱生势和基态能量的移动的表达式.以AgCl/AgBr量子阱为例进行了数值计算,结果表明,由激子-界面光学声子强耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而增大,而由激子-体纵光学声子弱耦合所产生的激子基态的诱生势和基态能量的移动随温度的升高而减小.

赝量子点基态能量光学声子效应

采用Pekar变分方法研究了赝量子点基态能量光学声子效应.导出了赝量子点强耦合极化子的基态能量随二维电子气的化学势、赝势零点的变化关系.选择Rb Cl晶体进行数值计算,结果表明:赝量子点基态能量随二维电子气的化学势增大而增加,赝势零点减小而增加.

量子点量子阱中的极化子(英文)

首先研究了量子点量子阱中的电子态 ,对阱外及阱内的两种束缚态都进行了考虑 ,然后采用微扰方法 ,对量子点量子阱系统中的极化子效应进行了研究 .最后采用CdS/HgS为材料的量子点量子阱进行了数值计算 。