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Nd:YbVO_4晶体的拉曼光谱和荧光光谱研究 被引量:5
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作者 金晶 夏海瑞 +5 位作者 孙尚倩 冉栋刚 刘凤芹 毕文婕 张怀金 程艳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第6期1330-1336,共7页
用群论的方法计算了Nd:YbVO4晶体的拉曼活性振动模数目,在室温下测得了其极化拉曼谱线,并指认了在不同几何配置下,各振动模式所对应的频率。同时,测得了室温下晶体的吸收谱,得到了中心波长为808nm吸收峰的半高宽为12nm,并在J-O理论的基... 用群论的方法计算了Nd:YbVO4晶体的拉曼活性振动模数目,在室温下测得了其极化拉曼谱线,并指认了在不同几何配置下,各振动模式所对应的频率。同时,测得了室温下晶体的吸收谱,得到了中心波长为808nm吸收峰的半高宽为12nm,并在J-O理论的基础上计算了晶体的光学参数,其三个晶场参数分别为Ω2=6.88945×10-20cm2、Ω4=4.13394×10-20cm2、Ω6=4.54503×10-20cm2,并由此得到4F3/2能级的荧光寿命为178.69μs,1062nm处的荧光分支比为48.85%,积分发射截面为2.786710-18cm2。分别在808nm、940nm激发下测得晶体室温发射谱,观察到了Nd→Yb以及Nd←Yb间的能量传递现象。 展开更多
关键词 Nd:YbVO4晶体 极化拉曼光谱 吸收光谱 荧光光谱 能量传递
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Tunable D peak in gated graphene 被引量:1
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作者 Anna Ott Ivan A. Verzhbitskiy +3 位作者 Joseph Clough Axel Eckmann Thanasis Georgiou Cinzia Casiraghi 《Nano Research》 SCIE EI CAS CSCD 2014年第3期338-344,共7页
We report the gate-modulated Raman spectrum of defective graphene. We show that the intensity of the D peak can be reversibly tuned by applying a gate voltage. This effect is attributed to chemical functionalization o... We report the gate-modulated Raman spectrum of defective graphene. We show that the intensity of the D peak can be reversibly tuned by applying a gate voltage. This effect is attributed to chemical functionalization of the graphene crystal lattice, generated by an electrochemical reaction involving the water layer trapped at the interface between silicon and graphene. 展开更多
关键词 GRAPHENE GATING defects DOPING ELECTROCHEMISTRY
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