GaAs光致发射极化电子源的原理及其在极化(e.2e)中的应用

GaAs半导体光致发射极化电子源是 70年代末在国际上出现的一种新型极化电子源 .它采用GaAs半导体晶片作为光阴极 ,并在高真空环境下将碱金属铯及氧化剂镀到光阴极上 ,以获得负电子亲和势 (NegativeElectronAffinity)表面 ,然后通过用波长合适的圆偏振激光照射光阴极 ,来获得自旋极化的电子束 .详细讨论了GaAs半导体光致发射极化电子源的原理及实验过程 ,并介绍了极化电子在极化 (e ,2e)

自旋极化电子源装置研究

自旋极化电子在许多研究领域有着广泛用途,目前国际上普遍采用光电离GaAs晶体产生自旋极化电子。本文介绍自旋极化电子产生的原理及一种设计简洁、结构简单的极化电子源装置。该十字型四通道装置内有一非常简单的900静电偏转器,新型的用于固定晶片的弹簧夹子可保证晶片加热均匀。用波长780nm圆偏振激光激活GaAs光电阴极可以产生极化电子,然后通过900静电偏转器及一组静电透镜将极化电子引到反应区。

磁性隧道结自旋极化电子的隧穿特性

铁磁金属间通过中间层的自旋极化电子隧穿产生的磁性耦合,在自旋电子器件中有许多潜在的应用.考虑由一平面磁性势垒层隔开的两铁磁性金属电极构成的磁性隧道结,针对中间层形成的矩形势垒,在近自由电子模型的基础上,计算零偏压下的隧穿电导、自旋极化率和隧穿磁阻比率,分析势垒层特性、分子场强弱、分子场相对取向等对隧道结自旋极化电子隧穿特性的影响.计算结果对自旋电子器件的设计具有一定的指导意义.

自旋极化电子碰撞谱仪的研制进展

与电子自旋相关的效应在散射过程中起着十分重要的作用 ,但却常常被较强的库仑相互作用所淹没 ,使得以自然电子为探针的散射实验很难对其进行直接观测。以极化电子作为探针 ,研制极化电子碰撞谱仪 ,将为开展自旋相关效应的实验研究奠定基础。本文简述了极化电子与原子分子碰撞研究的意义 ,并介绍了清华大学物理系极化物理实验室自行开发的GaAs极化电子源及基于该极化电子源的碰撞谱仪的研制情况。

自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验研究

本文介绍了自旋极化电子原子散射的(e,eγ)符合实验的理论基础、实验装置和参数测量方法,描述了符合实验研究主要结果,说明了符合实验研究的物理意义。

极化电子与原子散射的广义Stokes参量的实验测量

分析了极化电子与原子散射后的受激原子退激辐射光的广义Stokes参量 ,介绍了Stokes参量的基本概念和实验测量方法并阐明其具体的物理意义 ,为自旋极化电子参与的原子或分子碰撞实验和理论模型的研究奠定基础 .

极化电子束及其与原子散射

介绍了极化电子的起因，极化矢量的定义，及其极化电子与原子散射的应用前景。

自旋极化电子原子碰撞激发Stokes参量测量研究

本文简要回顾了自旋极化电子与原子碰撞激发过程Stokes参量测量的研究进展。介绍了Stokes参量测量的理论基础、实验装置及测量方法,通过对典型测量结果的描述,揭示了积分Stokes参量测量研究的物理意义。

极化电子源的原理及实验研究

简单介绍了极化电子束的获得，即极化电子源，讨论了对电子束极化度的测量，极化电子与原子散射，以及极化电子束在固物理、生物物理、核物理与粒子物理中的应用．

自旋极化电子束及其应用

自旋极化电子束的获得,为自旋极化电子与原子碰撞符合实验研究奠定了基础,通过符合实验,已经能够获得电子原子碰撞的更多的信息,而且能够探测到碰撞过程中的自旋相关效应,并为分子结构及固体表面的研究提供了一种新的研究手段。

极化电子与分子碰撞中的手征效应研究进展

本文回顾极化电子与分子碰撞中的手征效应研究进展。着重描述电子二色性的特征、理论背景。

基于极化电子散射的分子手征效应研究

手征 (chiral)概念是许多科学领域所关注的焦点 ,其研究也是探索生命起源和生命活动最吸引人的研究方向之一。本文简要介绍近几年基于极化电子散射实验的分子手征效应研究的实验方法及结果 ,并展望了该领域的实验发展前景 。

GaAs极化电子源实验研究

对GaAs极化电子源中GaAs晶片的激活过程进行了实验研究 ,着重采用 2种不同的激活过程摸索了实验过程中的相关物理参量 ,以达到最佳的激活状态 。

极化电子在(e,2e)散射中的应用

介绍了用极化电子进行（ｅ，２ｅ）散射的意义及其当前国际上的进展，然后对正在研制的一台（ｅ，２ｅ）谱仪进行了介绍，包括其总体结构及关键部分的特色，其中着重讨论了一种光学极化仪．

单量子点体系极化电子的输运

利用Bulka建立的量子点模型,研究了当左右引线的磁矩夹角为θ时该体系的量子输运性质;利用Keldysh非平衡格林函数方法研究了电流随偏压V、温度T和磁矩夹角θ的变化,给出了近滕(Kondo)区中的非线性电导,并得出电导中的近滕顶点高度受磁矩夹角θ的调制的结论.

自旋极化电子在周期驱动耦合量子点中的隧穿

通过精确求解含时的量子体系,研究了自旋极化电子在周期驱动耦合量子点中的布居数变化及隧穿时间。结果表明自旋极化电子在耦合双量子点中作周期振荡。

空位缺陷硅烯纳米带结构与自旋极化电子性质的密度泛函紧束缚研究

随着纳米电子器件和自旋电子学的不断发展,对小尺寸的纳米硅材料物理和化学性质的研究是研发新型微电子材料器件的基础.硅烯纳米带在实验制备和理论研究中均备受关注.本研究利用基于自洽电荷的密度泛函理论紧束缚方法,研究了不同宽度的硅烯纳米带的结构、稳定性和自旋极化电子性质.研究发现,稳定的完美和带有空位缺陷的硅烯纳米带表现为带有曲翘褶皱的蜂窝结构.纳米带边缘的曲翘度大于中心位置.空位缺陷更容易出现在纳米带边缘.纳米带的宽度可实现完美的硅烯纳米带的半导体性质和金属性之间的转换.硅烯纳米带中出现空位缺陷可有效调控纳米带自旋电子性质从半导体向金属性转变、半导体向半金属性转变,及金属性向为半导体或者半金属性质的转变.这种自旋电子性质的调控手段使得该种纳米材料在纳米电子自旋器件上有着潜在的应用价值.

利用原子在圆偏振激光场中的强场电离产生自旋极化电子

圆偏振激光场中原子的非绝热强场电离为产生自旋极化电子提供了机会.我们应用这些解析电离速率公式[Ingo Barth and Olga Smirnova,Phys.Rev.A 88,013401(2013)]更系统地研究了通过Kr和Xe原子在右旋圆偏振激光脉冲中的强场电离产生自旋极化电子,并证实了不同自旋态的光电子能量分布有很大差异、电子的自旋极化敏感地依赖于光电子能量.另外,在光电子能谱的低能部分其自旋极化可以达到100%,并且通过调节激光强度和频率可以很好地控制能量积分的自旋极化.

液晶相位可变延迟器对自旋极化电子束极化方向的调制

讨论了液晶相位可变延迟器(liquidcrystalvariableretarder,LCVR)在自旋极化电子产生方面的应用.LCVR控制入射光子的偏振度,从而实现对自旋极化电子束极化方向的调制.采用LCVR代替14波片和Pockels盒的优点在于其对入射光方向不敏感,传输直径大,不需要机械转动即可大波长范围的延迟,且易于校准.另外,还研制了旋转检偏器,通过示波器读出,对光子偏振性进行检测并对LCVR进行校准.