极大规模集成电路工艺用配套超净纯试剂的研制和产业化开发

进入21世纪，世界全面进入了信息化时代，信息产业已成为世界经济中规模最大、发展最为迅速的产业，我国政府已把信息产业作为一个重要的支柱产业。半导体集成电路产业是现代信息产业和信息社会的基础，而大规模集成电路设计制造业更是信息产业的先导和基石，是计算机和通讯设备信息家电的心脏，其影响面广，产业链长。

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项推进会在京召开

3月26日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项推进会在京召开，这标志着我国“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段。会议由国家科技部曹健林副部长主持，全国政协副主席、科技部万钢部长出席并讲话。来自国家发改委、科技部、财政部、工信部、教育部、北京市、上海市、相关地方科技部门、项目承担单位、咨询委员会、总体组等单位代表共200多人参加会议。

超大规模集成电路适应性测试方法综述

随着现代半导体工艺的迅猛发展,超大规模集成电路(VISI)的研发和制造技术日臻成熟,一个普通芯片,甚至由几亿个晶体管组成。随着集成电路设计和制造复杂度的提高,工艺技术的不断创新,电路测试难度大幅度提升,测试成本飙升,因此,自适应测试的发展至关重要,动态地调整测试流程,消除测试模式冗余,减少了测试时间,提升了测试效率,降低了测试成本。

低压下极大规模集成电路碱性铜化学机械抛光液的研究

对低压下铜化学机械抛光(CMP)碱性抛光液的性能进行了研究.在分析碱性抛光液作用机理的基础上,对铜移除速率、表面粗糙度等性能进行了考察.结果表明:加入络合剂R NH2 OH实现铜在碱性抛光液中的溶解,同时提高了的铜移除速率(41.34kPa:1050nm/min;6.89 kPa:440nm/min)并降低了表面粗糙度:在较高压力(41.34 kPa)下,铜晶圆表面粗糙度虽然从18.2 nm降至2.19 nm,但仍有明显的划伤存在,并且最大划伤达到了18.2 nm;在低压下(6.89 kPa),铜晶圆表面粗糙度从13.5 nm降至0.42 nm,最大划伤只有1.8nm,可满足45 nm极大规模集成电路的光刻焦深要求.

粤芯半导体:推动产业链创新链融合发展 助力广东打造中国集成电路 “第三极”

[导读]企业是创新的主体,也是推动创新创造的生力军。2024年7月,省人大常委会正式通过《广东省科技创新条例》(以下简称《条例》),对技术创新体系构建做出了规定,突出企业在技术创新中的核心作用。粤芯半导体技术股份有限公司(以下简称“粤芯半导体”)作为广东省本土自主创新企业,在半导体制造工艺与结构、技术平台与产品应用以及产学研合作与人才培养等方面都取得了积极成效。本刊特邀粤芯半导体结合自身业务发展情况对《条例》相关内容进行解读。

应用于超大规模集成电路工艺的高密度等离子体源研究进展

本文简要地介绍了等离子体的产生方式以及传统的射频电容耦合等离子体源。对电子回旋共振等离子体(ECR) ,感应耦合等离子体 (ICP) ,螺旋波等离子体 (HWP)等几种新型的高密度等离子体源[1] 的工作原理及结构重点作了分析讨论 ,并从运行参数上对其进行了比较。

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段

3月26日，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”推进会在科技部召开，科技部部长万纲、专项领导小组成员单位的领导出席会议。会议的召开标志着该重大专项已经进入全面实施阶段。

我国全面实施“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项

我国“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段。 据介绍，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项旨在开发集成电路关键制造装备，掌握具有．自主知识产权的成套先进工艺及相关新材料技术，打破我国高端集成电路制造装备与工艺完全依赖进口的状况，带动相关产业的技术提升和结构调整。

大规模集成电路工艺中“鸟头”平坦化的研究

介绍了大规模集成电路 ( VLSI)工艺中“鸟头”的形成 ,研究了平坦化“鸟头”的原理和过程。着重讨论了平坦剂的选择和涂胶 ,以及利用干法刻蚀进行平坦化的各种参数 ,获得了实用的平坦化“鸟头”的工艺条件。“鸟头”高度由原来的 0 .7μm左右下降为 0 .2 5μm左右 。

“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”重大专项进入全面实施阶段

3月26日，国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”推进会在科技部召开，科技部部长万纲、专项领导小组成员单位的领导出席会议。会议的召开标志着该重大专项已经进入全面实施阶段。

国家科技重大专项极大规模集成电路制造装备及成套工艺专项2011年度工作总结暨部署大会

2011年12月22日,极大规模集成电路制造装备及成套工艺重大专项（以下简称＂集成电路装备专项＂）工作总结暨部署大会在上海召开。专项领导小组组长、科技部副部长曹健林,专项第一行政责任人、上海市副市长沈晓明,

极大规模集成电路制造技术及成套工艺：国产化步履唯艰

集成电路制造技术及成套工艺是当今全球装备制造业中最尖端的技术之一，是信息技术硬件的核心。其国产化正在艰难起步。随着极大规模集成电路制造装备及成套工艺被列入16大重大专项，无疑为其发展又添一注新的砝码。从科技部2009年申报课题不难归纳，该项目分集成电路装备、关键部件与核心技术、成套工艺、关键材料、前瞻性研究五个主题，38个项目。

大规模集成电路(LSI)技术的发展

该文简要介绍了LSI的现状和发展 ,阐述了超高速LSI和系统LSI中的若干问题 。

超大规模集成电路气体净化工艺

介绍超大规模集成电路生产所使用的主要气体(氢气、氮气、氧气和氩气)

超大规模集成电路波导光互连技术的现状与前景

介绍超大规模集成电路(VLSI)波导(?)互连技术的最新进展,并预测其发展方向,以及如阿解决存在的实际问题。

超大规模集成电路硅片的内吸杂

介绍了吸杂的分类与效果以及内吸杂工艺,并综述了金属在硅中的性质,主要阐明了氧在内吸杂中的作用,简述了氮对吸杂的影响,井讨论了内吸杂的物理机理。最后探讨了今后吸杂的发展方向。

极大规模集成电路测试开发平台和全自动测试线全面建成并投入产业化应用

北京确安科技股份有限公司通过国家科技重大专项（02专项）项目“极大规模集成电路测试技术研究及产业化应用”，全面建成了极大规模集成电路测试开发平台和全自动测试线，实现了300 mm (12英寸)晶圆产业化测试，具备了每月550片12英寸晶圆测试和每月50万颗高密度封装形式的高端芯片成品测试能力。

1991年超大规模集成电路的材料和工艺表征(ICMPC′91)国际会议简况

10月21日至25日,国内外代表130多人,在上海新锦江饭店召开ICMPC′91会议。国外代表主要来自美国、日本、意大利、新加坡,国内代表主要来自部分高等院校、科学院、有关研究所和工厂。机电部,13、24、46、55所和华晶集团均有代表参加会议。

超大规模集成电路先进闪存存储器成套工艺与产品技术研发及产业化

主要完成人：吴汉明、朱一明、仇圣桑、舒清明、李绍彬、何卫、杨芸、胡洪、胡建强、刘铭、邹陆军、苏志强、沈强、冯骏、韩飞 完成单位：易创新科技股份有限公司、中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 该成果从自主研发的90纳米和65纳米基础成套工艺出发，开发NOR flash成套产品和工艺，并实现量产。在产品设计开发方面，研发了高速数据接口等电路设计技术大幅提升数据编程／读写效率，实现业界最高读出速度：通过编程算法、器件性能设计技术和产品成本控制技术等多重优化，