28 nm锗硅工艺极微小颗粒缺陷监控方法与改善措施研究

针对28 nm产品锗硅工艺产生的极微小颗粒缺陷,应用光学检测系统,探索了缺陷检测方法,建立缺陷的在线监控指标。据此建立缺陷失效模型和评估了缺陷的改善方案。对缺陷检测方法进行了系统的研究:通过热扫描检出缺陷样本,收集并分析缺陷样本在不同扫描条件组合下的信号噪声比,最终确定缺陷检测条件。根据工艺特性以及相关试验结果建立了缺陷失效模型,据此推导缺陷改善方向,并最终通过实验验证了改善措施的有效性。最终通过优化锗硅工艺前湿法清洗、优化锗硅工艺前氧化硅薄膜质量以及优化锗硅工艺选择比等条件,使缺陷问题得到解决。针对极微小颗粒缺陷的系统性研究,最终建立了有效的缺陷在线监控指标,为缺陷改善带来了便利,加快了先进制程的研发进度。