极性晶体中强耦合激子与界面光学声子产生的自陷能

采用线性组合和LLP变分相结合的方法研究了极性晶体界面强耦合激子的自陷能,得到了作为激子坐标和电子﹣空穴间距离函数的激子与界面光学(IO)声子相互作用产生的自陷能的表达式,进一步说明了极性晶体界面光学声子的重要性。

基于MREI模型混晶光学声子频率计算理论的改进

在随机元素等位移(MREI)模型的基础上,进一步改进了模型。在计算多元混晶声子频率时,对不同模式采用了不同的次近邻常数,并且推算了近邻常数与组分x呈负幂指数变化的规律,从而不使用任何调节参数计算了几种AB_(1-x)C_x混晶的声子频率对组分x的依赖关系。理论结果和实验数据两者符合较好,对今后的实验给出了一定程度的指导。

半导体双势垒结构界面光学声子模及其与电子的耦合

采用宏观连续介质模型研究了极性半导体双势垒结构中界面光学声子模．计算了界面光学声子的色散关系和声子势；给出了电子－界面光学声子相互作用哈密顿量．

非对称量子阱中的界面光学声子

研究非对称量子阱中的光学振动模。着重讨论界面光学声子的色散特性和本征模。导出了电子—界面光学声子相互作用的类Frhlich哈密顿量。对具体材料的数值计算发现了这些模式及其与电子耦合的有趣性质,证明近期实验中观察到的一些奇异现象与界面光学声子有关。

考虑电子与表面光学声子相互作用的极性晶体膜量子比特

基于线性组合算符法和变分法,讨论了极性晶体膜中电子与表面光学声子(SO)耦合强、与体纵光学声子(LO)耦合弱的电子-声子相互作用系统的量子比特及其声子效应。当膜中电子处于基态和第一激发态的叠加态,电子的概率密度在空间做周期性振荡。结果表明振荡周期随耦合强度的增加而减小,随极化子振动频率的增加而增大。考虑电子与SO声子的相互作用,极化子振动频率发生变化,引起电子概率密度发生改变。

量子斜阱中光学界面声子模在｜kl_0｜<<1时的近似解

在连续介电模型基础上，讨论了量子斜阱中的光学界面声子；利用文献［６］所给数据，得到了在｜ｋｌ０｜＜＜１时的电场分量和电位移分量的微扰解，以及相应的色散关系解析表达式。数值计算结果表明与方阱以及文献［３］的结果显然不同，色散关系曲线相当复杂；与方阱时相反，电场分量和电位移分量对频率十分敏感，而对｜ｋｌ０｜值的变化却不敏感。

量子方阱中的光学界面声子

本文在连续介电模型基础上，讨论了量子方阱中界面声子的问题，得到了光学声子模的电场分量和电位移分量。

Mn_xZn_yBe_(1-x-y)Se半导体混晶中光学声子的研究

在随机元素等位移(MREI)模型的基础上,运用推广后的适用于任意多元混晶的理论,计算了MnxZnyBe1-x-ySe半导体混晶的光学声子性质随组分比的变化关系。比较了四元混晶的理论结果和实验数据,两者符合较好,同时对今后的实验给出了一定程度的指导。

n层耦合量子阱中的极化光学声子振动:电-声子相互作用哈密顿(英文)

在介电连续近似下,推导和讨论了任意层的耦合量子阱系统中的受限纵光学(LO)声子模与界面光学(IO)声子模。为了描述受限纵光学声子的振动,采用了一个正确的LO声子势函数,同时,为了处理系统中的界面光学声子,采用了行列式解线性方程组的方法,得到了量子化的LO与IO声子场以及它们的电-声子相互作用哈密顿.本项工作可以看作是对以前一些工作的普遍化。它提供了一种解决声子效应对多层耦合量子阱系统影响问题的统一方法.

锆钛酸铅光学声子的虚晶近似研究

在虚晶近似框架上用刚性离子模型计算了铁电固溶体PbZrxTi1-xO3 (x =0 2 5～ 0 4 0 )布里渊区Г点的声子振动频率 .结果显示 ,随着Zr组份x的增加 ,光学横模向低频方向移动 。

纤锌矿结构混晶Al_xGa_(1-x)N中的光学声子和极化子

由于声子和极化子对纤锌矿结构混晶和由其组成的量子阱的物理性质存在重要影响,采用赝原胞模型法计算纤锌矿结构混晶中Γ点的光学声子频率与组分x的关系,运用微扰的方法计算纤锌矿结构混晶中极化子有效质量mi*和能量迁移Ei随组分x的变化关系.计算结果表明:纤锌矿结构混晶AlxGa1-xN中的LO声子和TO声子均表现为单模行为,极化子的有效质量mi*和能量迁移Ei随x的变化呈线性变化.

三元混晶异质结构介面光学声子模(英文)

运用改进的无规元素孤立位移模型，研究了三元混晶构成的三层极性半导体之界面光学（ＩＯ）声子模．发现在典型的三元混晶三层系中，除局域在三个单层内的６支类体模外，存在１２支ＩＯ声子模．将有效声子模近似用于简化三元混晶异质结构的电子－声子相互作用问题．数值计算并讨论了几种实际体系的ＩＯ声子模频率．

在极性晶体中表面或交界面极化子的性质

不少极性晶体,电子与表面声学声子、体纵光学声子耦合弱,但与表面光学声子耦合强。本文同时考虑体纵光学声子、表面光学声子以表面声学声子的影响,研究这类极性晶体中的表面或交界面极化子的性质。采用线性组合算符和一种简单的么正变换,导出其有效哈密顿量和基态能量。

纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子

在长波近似条件下,采用修正的无轨离子位移模型研究纤锌矿氮化物三元混晶中的光学声子模。并对纤锌矿三元混晶体AlxGa1-xN中的光学声子进行计算,结果表明光学声子的频率、振子强度、介电常数随组份x出现明显的线性变化,但当组分增加到一定程度又呈现明显的非线性变化。计算结果与紫外共振喇曼散射观测到A1(LO),A1(TO)一阶声子散射峰符合的较好。

三元氮化物纤锌矿结构混晶In_xGa_(1-x)N中的光学声子

采用修正的无轨离子位移模型研究三元氮化物纤锌矿混晶中的光学声子模.用微扰法对系统的弗留里希耦合常数、混晶的介电常数和谐振子强度进行计算和讨论.结果表明,纤锌矿结构InxGa1-xN中的光学声子能量等物理量随组份x出现明显非线性变化,In与Ga原子之间的相互作用对混晶的性质有显著的影响.

通过形变热与纵光学声子耦合的激子

本文采用线性组合算符以及么正变换的方法，讨论非极性晶体中通过形变势与纵光学声子耦合的激子，导出激子在强、弱耦合两种情况下的基态有效哈密顿量。最后还就形变势常数Dg和Dh相等时的情况进行了讨论。

ZnSe/ Zn_(1-x)Cd_xSe非对称双量子阱中电子声子相互作用(英文)

采用转移矩阵方法研究了 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构中界面光学 ( IO)声子模和电子 -IO声子相互作用哈密顿量 .发现 IO声子的色散关系和电子 -IO声子耦合强度是波矢的复杂函数 ,并且长波声子是主要的 .使用简化的相干势近似数值计算 Zn Se/Zn1-x Cdx Se非对称双量子阱结构 ,结果表明高频声子与 IO声子的相互作用较低频声子与

声学形变势表面磁极化子的温度特性

采用线性组合算符方法 ,讨论了极性晶体内与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面磁极化子的温度特性 .结果表明 :振动频率随温度的升高而减小 。

InGaN插入层对AlGaN/GaN界面电子散射的影响

本文研究InGaN作为AlGaN/GaN插入层引起的电子输运性质的变化,考虑了AlGaN和InGaN势垒层的自发极化与压电极化对Al_(x)Ga_(1-x)N/In_(y)Ga_(1-y)N/GaN双异质结高电子迁移率晶体管中极化电荷面密度、二维电子气(2DEG)浓度的影响,理论分析了不同In摩尔组分下,InGaN厚度与界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射之间的关系.计算结果表明:界面粗糙度散射和随机偶极散射对双异质结Al_(x)Ga_(1-x)N/In_(y)Ga_(1-y)N/GaN的电子输运性质有重要影响,极性光学声子散射对其影响最弱;2DEG浓度、界面粗糙度散射、随机偶极散射和极性光学声子散射的强弱由InGaN势垒层厚度和In摩尔组分共同决定.