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S域极点位置与时域响应关系的实验研究
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作者 成红英 刘超英 《内蒙古师范大学学报(自然科学汉文版)》 CAS 1999年第1期31-34,共4页
给出了调节系统函数H(S)极点位置的实验电路和极点调节方法,可以很方便地把极点调整和控制在S平面上的任一点处,从而可以很方便地观察到极点位于S平面不同位置时。
关键词 极点调节 极点位置 时域响应 S域 电路
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一种负载为7nF片上电容的低压差线性稳压器
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作者 龚晓寒 倪金华 +1 位作者 洪志良 刘洋 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第5期505-509,共5页
详细分析并实现一种改进的片上全集成低压差线性稳压器(LDO),其负载电容为7 nF片上电容,且在0~50 mA电流负载范围下具有很好的稳定性。电路通过电压负反馈环控制降低输出等效负载电阻,并且采用了自适应极点调节方法以确保环路的稳定... 详细分析并实现一种改进的片上全集成低压差线性稳压器(LDO),其负载电容为7 nF片上电容,且在0~50 mA电流负载范围下具有很好的稳定性。电路通过电压负反馈环控制降低输出等效负载电阻,并且采用了自适应极点调节方法以确保环路的稳定性。通过快通环路和高增益环路的混合控制,既能保证高的低频增益,又能满足快速响应的要求。该LDO包括输出电容7 nF均全集成在芯片内部。经0.13μm 1P9M标准CMOS工艺流片和测试,当负载电流在0~50 mA跳变时,过冲小于90 mV,且跳变稳定,相位裕度满足要求。 展开更多
关键词 全集成 低压差线性稳压器 自适应极点调节 快通环路 高增益环
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