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日本试制成功耐极端紫外线的掩模与掩模坯料
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《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第4期66-66,共1页
关键词 日本保谷公司 试制 半导体 极端紫外线 掩模 掩模坯料
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等离子体极端紫外线光刻光源技术
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《现代化工》 CAS CSCD 北大核心 2004年第8期70-71,共2页
关键词 等离子体光源 极端紫外线 光刻技术 激发能 锡微粒子簇
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极端远紫外光刻技术 被引量:4
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作者 谢常青 叶甜春 《半导体情报》 2001年第5期28-32,共5页
半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机... 半导体器件与集成电路的不断小型化要求特征尺寸越来越小 ,极端远紫外光刻是 5种下一代光刻技术候选者之一 ,它的目标是瞄准 70纳米及 70纳米以下的特征尺寸光刻。本文从极端远紫外光源、极端远紫外光学系统、反射掩模、光刻胶、光刻机等方面对极端远紫外光刻技术进行了分析论述 。 展开更多
关键词 极端紫外线光刻 半导体工艺 集成电路
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