极紫外光刻技术研发取得突破

美国加州大学研究人员近期表示，他们在与西盟公司合作为下一代极紫外光刻（EUVL）开发激光光源的研究中发现，利用二氧化碳激光器系统可以获得极紫外光刻所需的极紫外光。他们相信，这项突破性发现有望帮助半导体工业寻找到在芯片上存储更多信息的方法，从而迅速提高电子设备的性能。

长春光机所承担的国家科技重大专项项目“极紫外光刻关键技术研究”通过验收

2017年6月21日,“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项（02专项）实施管理办公室组织专家在中国科学院长春光学精密机械与物理研究所召开了“极紫外光刻关键技术研究”项目验收会。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果,一致同意项目通过验收,认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。

激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展

半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术,作为半导体产业的核心技术之一,已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况,重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时,指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题,包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。

元素六美国硅谷工厂增加光学级CVD金刚石产能——一助推激光等离子体极紫外光刻技术发展

人造金刚石为二氧化碳激光器光学元件提供无与伦比附陛能。它可承受高能量激光，能够实现颇具成本效益和高通量的极紫外光刻加工。

制作亚50nm L/S图形的极紫外纳米光刻技术

极紫外光刻技术 (EUVL ,λ =1 3.4nm)是为小于 70nm特征尺寸图形制作而开发的下一代光刻技术 (NGL)。在麦迪逊威斯康星大学开发的极紫外光刻系统中 ,极紫外光源是由电子存储环中的波动器产生 ,为极紫外干涉光刻 (EUV -IL)提供了瞬间空间相干光源。其成像系统采用了一个洛埃镜干涉仪。用EUV -IL制作的高分辨力图形进行极紫外光刻的抗蚀剂特性研究。验证了用EUV光源的干涉光刻技术制作 1 9nm线 /间 (L/S)条纹图形 ,同时报告了采用EUV -IL技术开发亚 50nm密集线 /间图形的进展 ,并开始向制作 1 2

纳米光刻技术现状与进展

随着纳米加工技术的发展,纳米结构器件必将成为未来集成电路的基础。纳米光刻技术是制作纳米结构的基础,具有重要的应用前景。文章介绍了几种极有潜力的下一代纳米光刻技术,包括极紫外光刻技术、电子束光刻技术、纳米压印光刻技术的新途径、发展现状和关键问题,最后讨论了纳米光刻技术的应用前景。

浅谈半导体光刻技术的发展趋势

文章通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究,对光刻技术和光刻设备的发展趋势进行了介绍,并对我国今后半导体光刻技术及设备的发展提出了合理化建议。

先进光刻技术大步向前

正如半导体国际杂志上所说的那样，在今年的SPIE Microlithography会议上，光刻领域的技术专家们共聚一堂并发表了他们的最新研究成果。毫无疑问本次会议将会产生更多的新闻和技术热点，而近来公布的一些关于前沿浸没式光刻技术和极紫外光刻技术（EUV）的新闻以及研究成果已经受到了广泛的关注和极大的重视。

EUV光刻技术的挑战

光刻机的分辨率是基于瑞利分辨率公式R=k1λ/NA,提高分辨率的途径是缩短曝光光源的波长和提高投影物镜的数值孔径。目前主流市场使用的是193 nm浸没光刻机多曝光技术,已经实现16 nm技术节点的集成电路大规模生产。相对于193 nm浸没光刻机双曝光技术,极紫外(波长13.5 nm)光刻技术可以为集成电路的生产提供更高的k1,在提供高分辨率的同时拥有较大的工艺窗口,减小光刻工艺复杂性,是具有很大吸引力的光学光刻技术,预计将在14 nm/11 nm节点进入集成电路批量生产应用。但是,极紫外光刻技术还有包括曝光成像(patterning)、掩模版(mask)、光刻机(scanner)、高功率极紫外光源(source)、极紫外光刻胶、光学系统寿命等挑战需要解决。其中光刻机方面的挑战主要有:光刻机基础平台技术,对焦、剂量与套刻控制技术,光学设计与制造技术,光学测量技术,多层膜技术,波像差、杂散光控制等技术。本文对极紫外光刻的主要挑战技术进行论述。

MAPDST单体在EUV光刻胶制备过程中的应用

极紫外(EUV)光刻胶的研发作为适配未来光刻技术的发展方向,现已成为超高精度集成电路制造的最高效工艺技术。其中,(4-(甲基丙烯酰氧基)苯基)二甲基锍三氟甲磺酸盐(MAPDST)作为一种含辐射敏感锍基功能的关键单体,现已广泛应用于极紫外(EUV)光刻胶的研发生产过程中。首先,简要阐述在制约光刻胶性能提升过程中存在的分辨率(R)、线边缘粗糙度(LER)、曝光灵敏度(S)之间的平衡制约关系,即RLS平衡制约关系;随后,对MAPDST单体的优越性能以及在推动光刻胶朝着高分辨率方向发展的应用现状进行综述;最后,对EUV光刻胶材料及MAPDST单体的未来发展做出展望。

Global Foundries宣布2015年将正式启用EUV光刻技术

在最近召开的SemiCon West产业会议上，Global Foundries公司宣布将在15nm制程节点上开始启用EUV极紫外光刻技术来制造半导体芯片。其高级副总裁Greg Bartlett还表示，该公司将在纽约Fab8工厂建成后马上开始在这家工厂部署EUV光刻设备。

博弈的光刻技术面临的难题

两天的先进光刻技术学术报告后,在Sematech Litho Forum举行的小组讨论会上,与会的专家们针对包括极紫外光刻技术（EUV）、双重成像技术、高折射率浸没式光刻技术、纳米压印技术以及无掩膜版电子束成像技术在内的各种可能的图形解决方案的优、缺点各抒己见．然而，在这些讨论中各种技术部面临着共同的问题，即采用何种商业运作模式以回收巨额的先期研发投入、如何进行利益分配和成本控制以及如何扫除光刻技术前进道路上的障碍。

下一代光刻技术

本文从多方面对下一代光刻技术做了介绍和分析,重点描述了纳米压印光刻技术、极紫外光刻技术、无掩模光刻技术、原子光刻技术、电子束光刻技术等的原理、现状和优缺点,并展望了未来数十年的主流光刻技术。

台积电:谁也别拦我 今年就试产16nm

2013年4月15日消息，曾经有客户希望台积电的工艺更新换代步伐能够放缓一些，但无论从技术还是从商业角度讲，台积电显然都不可能这么做，甚至还要加快速度，已经决定将16nmFinFET工艺的试产时间从2014年提前到2013年底，并且希望能在2015年底用极紫外光刻技术制造10nm的芯片。台积电此举显然是为了应付GlobalFoundries、三星电子的激烈竞争，这两家代工厂都已经宣布很快就会上马FinFET立体晶体管技术。台积电原计划在2014年底到2015年初量产16nm，现在看起来明年年中就有可能提前实现，但具体还要取决于试产的良品率成果。

权威科技声音

“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收 近日，“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项“极紫外光刻关键技术研究”项目顺利通过验收。评审专家组充分肯定了项目取得的一系列成果，一致同意项目通过验收，认为该项目的顺利实施将我国极紫外光刻技术研发向前推进了重要一步。

IBM公司7nm半导体工艺节点取得跨越式突破

美国IBM公司生产出了半导体工业领域首片7nm工艺节点测试芯片。该芯片内包含200亿个可以实际发挥作用的晶体管。为了将半导体技术发展到7nm工艺节点，使芯片性能更高、功耗更低，IBM公司采用了全新的锗硅沟道晶体管技术和极紫外光刻技术。

反超英特尔 IBM推出7nm芯片

IBM宣布在超密计算机芯片工艺上取得了一项重大突破。已经成功研制出了7nm芯片的可工作样品，这项技术最大的变革在于，其采用的是锗硅材料以及极紫外光刻技术（EUV）。

制版、光刻、腐蚀与掩模工艺

0005792改进定标曝光场的对准精度[刊,译]//电子工业专用设备.—1999,(4).—51～56(A)00057930.30μmi 线光刻的精确套准控制[刊.译]//电子工业专用设备.—1999,(4),—42～46(A)

台积电火拼三星,争抢7纳米高地

随着目前7nm工艺技术的成熟,芯片企业开始陆续推出各自的高端芯片产品,比如华为麒麟980、高通骁龙855、苹果A12芯片都将采用最新的7nm工艺。在今年台积电召开季度分析师会议上,7纳米技术无疑是最大亮点,而就在同一天,台积电劲敌三星电子(Samsung Electromcs)宣布使用极紫外光刻技术(EuV)的7纳米LPP工艺开始生产,踢馆较劲的意味十足。