作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式 X 射线光刻技术(XRL)、散射角...作为当前集成电路制造的主流技术,光学光刻在趋近其分辨力极限的同时,面临着越来越大的挑战,即便在波前工程和分辨力增强技术的帮助下,光学光刻的分辨力也难以满足快速发展的半导体产业的技术需求。接近式 X 射线光刻技术(XRL)、散射角限制电子束投影光刻技术(SCALPEL)、电子束直写光刻技术(EBDW)、极紫外线即软 X 射线投影光刻技术(EUVL)、离子投影光刻技术(IPL)等下一代光刻技术(NGL)将会在特征线宽为 100—70 nm 的技术节点介入集成电路制造的主流技术中。从目前 NGL 技术发展的趋势和市场需求的多元化来看,竞争的结果很可能是各种 NGL 技术并存。当特征尺寸进入纳米尺度(≤100 nm)以后,最终只有那些原子级的成像技术才能成为胜者。展开更多
TN305 2003010743基于一种新微细加工技术的亚波长光栅的研制=Subwavelengthgratings based on a new microfabrication technology[刊,中]/李以贵(上海交通大学微纳米科学技术研究院.上海(200030)),陈迪…//光学学报.-2002,22(8)-1008-...TN305 2003010743基于一种新微细加工技术的亚波长光栅的研制=Subwavelengthgratings based on a new microfabrication technology[刊,中]/李以贵(上海交通大学微纳米科学技术研究院.上海(200030)),陈迪…//光学学报.-2002,22(8)-1008-1010描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术,即电子束(EB)扫描曝光得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用快速原子束刻蚀设备获得了高深宽比的立体结构。用此加工技术获得了100nm以下的刻蚀精度。展开更多
文摘TN305 2003010743基于一种新微细加工技术的亚波长光栅的研制=Subwavelengthgratings based on a new microfabrication technology[刊,中]/李以贵(上海交通大学微纳米科学技术研究院.上海(200030)),陈迪…//光学学报.-2002,22(8)-1008-1010描述了一种新的亚波长光栅的微细加工技术,即电子束(EB)扫描曝光得到相应的亚微米级的线宽图形,再利用快速原子束刻蚀设备获得了高深宽比的立体结构。用此加工技术获得了100nm以下的刻蚀精度。