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极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声
被引量:
2
1
作者
卜惠明
施毅
+5 位作者
顾书林
袁晓利
吴军
韩平
张荣
郑有炓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期465-468,共4页
研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与...
研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与迁移率涨落引起的 RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加 ,当沟道宽度减小至 40 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中 RTS幅度的影响起主导作用 .
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关键词
噪声
随机电报信号
NMOSFET
极细沟道
下载PDF
职称材料
题名
极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声
被引量:
2
1
作者
卜惠明
施毅
顾书林
袁晓利
吴军
韩平
张荣
郑有炓
机构
南京大学物理系
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000年第5期465-468,共4页
基金
国家自然科学基金资助课题!( 1 9974 0 3 3 )
文摘
研究了极细沟道 NMOSFET器件的随机电报信号噪声 ( RTS)的特征 .首次在室温下观测到了大幅度 (大于 60 % )的 RTS,发现当器件工作在弱反型区时 ,RTS幅度基本与温度和栅压无关 .对 RTS的动力学机制的分析及数值模拟表明 ,载流子数涨落与迁移率涨落引起的 RTS的幅度随着沟道宽度的减小而增加 ,当沟道宽度减小至 40 nm以下时 ,由荷电陷阱对沟道载流子散射而产生的迁移率涨落对细沟道中 RTS幅度的影响起主导作用 .
关键词
噪声
随机电报信号
NMOSFET
极细沟道
Keywords
noise
random telegraph signal
MOSFET
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
极细沟道NMOSFET中的大幅度随机电报信号噪声
卜惠明
施毅
顾书林
袁晓利
吴军
韩平
张荣
郑有炓
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2000
2
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参考文献
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