双流体Euler-Poisson方程的长波长极限

该文研究双流体Euler-Poisson方程的长波长极限.首先,借助长波尺度变换和奇异摄动方法,建立了双流体Euler-Poisson方程到Korteweg-de Vries(KdV)方程的形式推导.然后,当m_(i)/m_(e)≠T_(i)/T_(e)时,通过深入分析余项方程的结构,并利用能量方法,从数学上严格证明此极限过程的合理性.其结果表明:在KdV方程解存在的时间范围内,双流体Euler-Poisson方程的解可收敛到KdV方程的解.

新型透明半导体材料

东京工业大学发现一种透明金属氧化物,这种材料可用来生产半导体。 他们制造的铜铝氧化物经过处理后具有透光性和导电性。

10G比特/平方英寸的光磁盘

日立万胜和三洋电机公司共同开发出在直径12厘米光磁盘上可以记录5小时以上图像信号的高密度技术。其目的是想用这种光磁盘放像机取代家用录像机。这次开发的技术是使用易于购买到的680mm半导体激光器,实现了10G比特/平方英寸的面记录密度。该项技术是由日立万胜公司提出基本设想。

光电子发射率与入射光强

光电效应的规律中“在单位时间里从金属板尺发射出的光电子数跟入射光的强度成正比”这一条,由此也有一系列关于应用这条规律的习题。历年来在不少教学参考书中屡见这样的两类习题:第一为如“某金属在一束黄光照射下正好有光电子逸出,问用一束强度相同的紫光代替黄光,逸出电子数是否相同?”大部分书上的答案是“相同”。理由是因为光电子发射率与光强成正比,光强相同,则逸出的电子数就相同。第二类如“用完全相同的两束紫外线,分别照射两种不同的金属表面,都能产生光电效应,问这两种金属表面单位时间内逸出的光电子数是否相同?”原答案是相同,原因也是入射光强度相同。