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枝状晶体铜的电化学制备 被引量:6
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作者 陶菲菲 徐正 《材料工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第10期150-153,共4页
以CuCl2为前驱体,十二烷基硫酸钠(SDS)为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下,成功地制得了Cu的枝状晶体。用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对枝晶铜进行了形貌和物质结构的表征;制得的枝晶铜尺寸达到微米级,为面心立方晶... 以CuCl2为前驱体,十二烷基硫酸钠(SDS)为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下,成功地制得了Cu的枝状晶体。用扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对枝晶铜进行了形貌和物质结构的表征;制得的枝晶铜尺寸达到微米级,为面心立方晶相。通过研究各实验参数,如电沉积时间、电位和十二烷基硫酸钠(SDS)的浓度对枝状晶体形貌的影响,发现枝晶铜的生长过程经历了成核-生长-再生长的过程。 展开更多
关键词 枝状晶体 电化学沉积 制备 十二烷基硫酸钠
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电化学沉积金属铜的分形枝晶生长控制与性能 被引量:6
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作者 段涛 罗江山 +1 位作者 唐永建 唐朝江 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第1期101-106,共6页
以CuSO4为前驱体,HCl为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下制得了μm级、面心立方结构分形铜的枝状晶体,研究了铜离子浓度、硫酸浓度、电流密度、沉积时间、氯离子浓度等实验参数对分形枝状铜晶体尺寸、结构的影响。结果表明:硫... 以CuSO4为前驱体,HCl为添加剂,采用电化学沉积方法,在室温条件下制得了μm级、面心立方结构分形铜的枝状晶体,研究了铜离子浓度、硫酸浓度、电流密度、沉积时间、氯离子浓度等实验参数对分形枝状铜晶体尺寸、结构的影响。结果表明:硫酸的浓度对铜沉积物结构无明显影响;随着Cu^2+浓度的不断增大,铜沉积物的分形效果越来越明显;增大电流密度(0.4-1.6 A.cm^-2),铜沉积物由致密向多分枝的开放型转变;延长沉积时间(大于等于5 min),可获得含大量次级分枝铜的晶体;适当增加盐酸用量(0.05-0.20 mol/L),铜沉积物枝晶尺寸显著减小。最后讨论了分形枝晶铜在碱性条件下氧化甲醇的电化学性能。 展开更多
关键词 分形结构 枝状晶体 多孔铜 电沉积
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分级结构纳米材料研究进展 被引量:1
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作者 郎雷鸣 《广东化工》 CAS 2011年第12期63-63,71,共2页
将纳米级材料通过模板法或自组装方法进行组装可以获得有序复杂的分级结构微纳米材料,它能展现出优于单一纳米材料的特殊性能,因此是科学界研究的热点。文章主要针对几种常见的复杂结构纳米材料的制备及形成机理进行了简要的探讨。
关键词 分级结构 球形结构 模板法 枝状晶体
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丝网印刷银线路中电化学迁移的电化学阻抗评价 被引量:1
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作者 蔡积庆(编译) 《印制电路信息》 2010年第2期25-30,共6页
概述了采用电化学阻抗光谱研究丝网印刷银线路电极上的电化学迁移过程。
关键词 电化学迁移 离子迁移 枝状晶体 丝网印刷的银线路
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Continuous and highly ordered organic semiconductor thin films via dip-coating:the critical role of meniscus angle 被引量:1
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作者 Xuanyu Liu Yu Zhang +2 位作者 Xiaotao Zhang Rongjin Li Wenping Hu 《Science China Materials》 SCIE EI CSCD 2020年第7期1257-1264,共8页
Dip-coating is a low-cost,high-throughput technique for the deposition of organic semiconductors over large area on various substrates.Tremendous studies have been done and many parameters such as withdrawal speed,sol... Dip-coating is a low-cost,high-throughput technique for the deposition of organic semiconductors over large area on various substrates.Tremendous studies have been done and many parameters such as withdrawal speed,solvent type and solution concentration have been investigated.However,most of the depositions were ribbons or dendritic crystals with low coverage of the substrate due to the ignorance of the critical role of dynamic solution-substrate interactions during dip-coating.In this study,meniscus angle(MA)was proposed to quantify the real-time in-situ solutionsubstrate interactions during dip-coating.By proper surface treatment of the substrate,the value of MA can be tuned and centimeter-sized,continuous and highly ordered organic semiconductor thin films were achieved.The charge transport properties of the continuous thin films were investigated by the construction of organic field-effect transistors.Maximum(average)hole mobility up to 11.9(5.1)cm2V-1s-1was obtained.The average mobility was 82%higher than that of ribbon crystals,indicating the high crystallinity of the thin films.Our work reveals the critical role of dynamic solutionsubstrate interactions during dip-coating.The ability to produce large-area,continuous and highly ordered organic semiconductor thin films by dip-coating could revival the old technique for the application in various optoelectronics. 展开更多
关键词 organic field-effect transistor DIP-COATING meniscus angle charge transport MOBILITY
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