柔性Ni网基底上电沉积制备ZnO纳米结构薄膜及其光电性能研究

以ZnCl_2与O_2为原料,通过电化学沉积在柔性金属Ni网基底上制备了ZnO纳米棒阵列,对初级结构表面进行铺膜处理,并于-1. 0 V下沉积3 600 s得到纳米"花状"分级结构。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)等手段对合成样品的形貌、物相、结构进行了表征,研究不同制备条件对ZnO纳米薄膜形貌及光电性能的影响。结果表明,初级结构ZnO纳米棒经铺膜退火处理后,表面可形成均匀的纳米粒子晶种层,为次级结构的生长提供活性位点。再次电沉积后,生成的"花状"分级结构相比于一维纳米棒具有更大的比表面积,能够有效提高N719染料的吸附量,其光电转换效率也相应由0. 52%增大至0. 80%。