一种用于Pipeline ADC的高线性度栅压自举开关

在流水线模数转换器(Pipeline ADC)电路中,栅压自举开关中的非线性电容会对开关管的导通电阻产生直接的影响,导致采样非线性。设计了一种三路径的高线性度栅压自举开关,采用三个自举电容,分别构成两条主路径和一条辅助路径,使得输入信号在通过两条主路径传输到开关管栅端时加快栅端电压的建立,同时利用辅助路径驱动非线性电容,减少电路中非线性电容对采样电路线性度的影响,从而增强信号驱动能力,提高整体电路的精度。本文设计的栅压自举开关应用于14 bit 500 MHz流水线ADC的采样保持电路中。采用TSMC 28 nm CMOS工艺进行电路设计。仿真结果表明,在输入频率为249 MHz,采样频率为500 MHz的条件下,该栅压自举开关的信噪比(SNDR)达到92.85 dB,无杂散动态范围(SFDR)达到110.98 dB。

一种新型栅压自举采样开关

基于SMIC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种新型的栅压自举采样开关。采用镜像结构,增加了自举电容。采用时钟控制反相器,减少了MOS采样开关管的栅极节点寄生电容。这些措施有效抑制了电荷共享效应,提高了线性度,提高了采样开关的导通、关断速度。仿真结果表明,在6.25 MHz频率、0.8 V输入正弦波信号、100 MHz采样频率的条件下,该栅压自举采样开关的SFDR为111.3 dBc,SNDR为108.9 dB。

栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响

研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响.结果表明:温度随正栅压升高而升高,随负栅压升高而降低,并分析了有源区内电场强度、电流密度和功率密度随栅压的变化规律.从而证明,与LDMOS栅接地时相比,正栅压降低了器件的静电放电能力,而负栅压则提高了器件的静电放电能力.

高栅压电子注入损伤对产生电流的影响(英文)

用反向GD法研究了高栅压应力下的LDD nMOSFET中的损伤情况.发现这种应力下产生电流峰值随着应力时间的增大变小,峰值变小和氧化层中负陷阱电荷增大的趋势一致.峰值变小是由于应力中氧化层陷阱电子起主导作用,从而减小了漏电压的有效作用,使得产生率最大值变小.应用这种新模型定量得出了影响漏电压的等效电荷密度.

电极和栅压对聚丙烯驻极体电荷储存稳定性的影响

目的:比较研究不同栅压注极的双裸面聚丙烯驻极体的电荷储存稳定性,探讨铝电极对聚丙烯驻极体电荷储存稳定性的影响,为研制优质驻极体透皮贴剂奠定基础。方法:利用栅控恒压电晕充电系统将含单面镀铝电极和双裸面聚丙烯薄膜制备成不同表面电位的负极性驻极体,借助于等温表面电位衰减测量和开路热刺激放电电流谱研究注极栅压和金属电极对聚丙烯驻极体电荷储存稳定性的影响。结果:1.注极栅压越高,双裸面驻极体的电荷储存稳定性越差。2.双裸面聚丙烯驻极体较单面镀铝驻极体具有更高比例的深能级捕获电荷,具有优异的电荷储存稳定性。结论:双裸面聚丙烯驻极体具有优异的电荷储存能力可用于驻极体透皮贴剂的研制。

栅压对LDMOS在异常大电流下工作的影响

研究LDMOS在一次雪崩击穿后的大电流区,栅压对器件内部温度的影响。结果表明,有源区电流密度、功率密度和温度都随正栅压升高而增加,证明LDMOS在栅接地时比栅不接地时具有更好的静电放电能力。

不同栅压应力下1.8V pMOS热载流子退化机理研究

本文详细研究了不同栅压应力下1.8V p MOS器件的热载流子退化机理.研究结果表明,随着栅压应力增加,电子注入机制逐渐转化为空穴注入机制,使得p MOS漏极饱和电流(Idsat)、漏极线性电流(Idlin)及阈值电压(Vth)等性能参数退化量逐渐增加,但在Vgs=90%*Vds时,因为没有载流子注入栅氧层,使得退化趋势出现转折.此外,研究还发现,界面态位于耗尽区时对空穴迁移率的影响小于其位于非耗尽区时的影响,致使正向Idsat退化小于反向Idsat退化,然而,正反向Idlin退化却相同,这是因为Idlin状态下器件整个沟道区均处于非耗尽状态.

栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子注入的影响

采用有机半导体材料酞菁铜作为有源层,聚四氟乙烯作为绝缘层,制作了两个不同结构的有机薄膜场效应晶体管,一个是底电极结构,另一个是倒置顶电极结构。文章通过对两个器件的电特性进行对比,分析出在倒置顶电极结构下栅压对有机薄膜场效应晶体管中载流子的注入有很大的帮助。

降栅压技术在MOSFET驱动中的应用

为在短路发生时有效保护金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor),在60V/10A固态功率控制器的驱动电路中,设计降栅压短路保护。通过与MOSFET反串的二极管检测短路故障,一旦发生短路,启动短路保护电路,快速降低MOSFET栅源极电压至其开启电压附近,以增大MOSFET漏源极电阻并使其可控,设计电容放电时间,即可按一定速度关断功率管。仿真和实验结果表明,降栅压短路保护技术能在短路发生时迅速关断MOSFET并在关断过程中起到限流、抑制di/dt、增强抗干扰的作用。

双层石墨烯在栅压调控下的各向异性刻蚀

石墨烯纳米结构在纳电子学研究领域表现出了良好的应用前景.氢等离子体各向异性刻蚀技术是加工石墨烯精细纳米结构的关键技术之一,可以实现10 nm以下平整的锯齿型石墨烯纳米带的可控加工.本文系统研究了外加电场对石墨烯各向异性刻蚀效应的影响,利用外加栅压实现了氧化硅衬底上的双层石墨烯各向异性刻蚀速率的调控.在±30 V栅压变化范围内,刻蚀速率比可达45.由此不仅可以提高大批量加工石墨烯纳米结构的效率,还可以实现5 nm以下极小尺寸石墨烯纳米带的可控加工.研究结果为石墨烯精细纳米结构器件的高效批量加工提供了思路.

高性能栅压自举开关的设计

对模数转换器中的传统开关电路的导通电阻进行了详细的理论分析,提出了一种互补型栅压自举开关电路。该电路结构相比于传统开关,通过少量的功耗代价换取了更优的频域性能,在不同工艺角下具有更好的鲁棒性,适用于先进工艺下的低电压工作环境。互补型栅压自举开关电路采用28 nm工艺设计,在1 V的电源电压下,对800 f F的负载电容进行速率为800 MS/s的采样,在低频输入下(181.25 MHz)实现的无杂散动态范围(SFDR)为89 d B,四倍奈奎斯特输入频率下(1 556 MHz)实现的SFDR为65 d B,开关电路面积为80μm×20μm。

一种用于列并行ADC的改进型栅压自举开关

CMOS图像传感器中列并行模数转换器(ADC)的面积受到严格限制,ADC采样保持电路中的栅压自举开关也必须满足每列的面积要求。在传统单电容型栅压自举开关的基础上,利用源极跟随器在降低开关导通电阻的同时提高了电路的可靠性;通过体效应补偿电路降低输入变化对导通电阻的影响;同时,在列共用偏置电路上增加控制开关,减少不必要的功耗。提出的电路使用UMC 0.11μm CMOS工艺实现,电源电压为3.3V,仿真结果表明开关导通电阻降低了约28.6%,输入范围内电阻变化率小于1.2%,有效位数提高了1bit,而面积只增加了15%。流片后测试结果显示,以20MS/s的采样频率对1.97MHz的输入进行采样,测得信噪比(SNR)、无杂散动态范围(SFDR)和有效位数(ENOB)分别为85.8dB、71.1dB和11.5bit。

基于动态栅压功放的高效超宽带发射机结构

提出的超宽带射频发射机的结构具有良好的效率和线性度。设计和制作了一款宽带的动态栅压偏置的功率放大器。动态栅压偏置可以获得优良的宽带性能。总发射机可以支持184.32 MHz的调制带宽。基带信号和相关偏置电压由宽带模拟基带处理单元生成。基带信号经过直接变频的调制方式到达功放输入端,偏置电压经过差分运放以及延时电路到达功放栅极。实验结果表明,与传统A类功放相比,动态栅压偏置可以增加系统的效率和线性度。

第一栅压对F-H实验曲线影响的研究

为探究第一栅压对F-H实验曲线的影响,通过单独改变第一栅压的方式进行了数据收集,对实验曲线各节点的数据及其变化特性进行了分析讨论,发现过低的第一栅压会影响出现板极电流时电压、第一峰谷电压以及峰值电流等,总结出了峰谷电流随第一栅压增大的变化规律。

一种新型栅压自举开关的设计

设计一种新型自举开关(Boost Bootstrap)电路结构,应用于SAR ADC的采样保持电路中,从而实现over-rail inputrange。此结构改进了之前同种电路输入电压不能高于2*VDD的不足。采用SMIC 55nm低压工艺,电源电压0.6V,在Cadence Spectre环境下进行电路仿真。结果表明:该电路在采样期间基本保持输出电压比输入信号大1.15V,满足SAR ADC中采样保持电路的应用需求。

通过降栅压保护、降额设计和缓冲电路等方式对IGBT进行保护

IGBT作为全控型电力电子器件在交流变频器和大功率开关电源等方面获得了广泛的应用。但IGBT失效一直困扰着人们，觉得IGBT不好用或用不好，要解决这个问题先来认识一下IGBT失效可能的原因。首先，电流类的失效原因有长时间的过电流、t短路电流时间大于10ust；3,及高的di／dt；其次就是过电压类的失效原因，K。过电压、K。过电压、高的dv／dt和ESD等也常导致IGBT失效。

DF100kWPSM短波发射机高末级电子管帘栅压控制电路原理及调整方法

主要介绍了DF100kW PSM短波发射机高末级电子管帘栅压控制信号的产生原理,并对采用PDM补偿式帘栅电源的优点及帘栅压的自动调制原理进行了分析,最后并对日常维护中帘栅压的调整方法作了介绍。

一种LDMOS放大器件栅压自适应控制技术

文章基于LDMOS放大器件栅压固有特征以及自适应信号处理技术,提出了一种新型的栅压自适应控制技术,首先对该技术的原理进行了推导和分析,然后进行计算机仿真,最后通过硬件实验平台对Freescale第六代LDMOS放大器件MRF6S19140进行测试,验证了栅压自适应控制技术的有效性和先进性。

10KW彩色电视发射机影末级高压过荷引起帘栅压电路过荷故障分析

我国使用的北广产10KW双通道彩色电视发射机,当发生影末级高压过荷故障时,常常会伴随帘栅压过荷故障。在排除影末级高过荷故障时,通常只会注重槽路箱高整电路元器件故障的检查及排除,当开机试运行时,往往又发现帘栅压电路还有故障,不能正常运行,只好接着排除帘栅压电路故障。