栅对准误差对双栅MOSFET性能影响的分析

双栅 MOSFET是一种非常有发展前途的新型器件 ,它具有跨导高、亚阈值特性优异、短沟道特性好等优点。但是目前自对准的双栅 MOSFET的工艺制作相当困难。本文中分析了双栅 MOSFET的正、背面栅存在对准误差时 ,对器件的静态及动态特性的影响 。