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屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制
1
作者
李飞
刘英坤
+2 位作者
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期199-202,共4页
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的...
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。
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关键词
射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管
栅
漏电容
栅屏蔽层
台
栅
结构
屏蔽
栅
结构
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职称材料
题名
屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制
1
作者
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
机构
河北半导体研究所
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第3期199-202,共4页
文摘
在台栅垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管(VDMOSFET)的结构基础上,利用常规硅工艺技术,研制出了一种具有屏蔽栅结构的射频功率VDMOSFET器件,在多晶硅栅电极与漏极漂移区之间的氧化层中间加入了多晶硅屏蔽层,大幅度降低了器件的栅漏电容Cgd。研制出的屏蔽栅结构VDMOSFET器件的总栅宽为6 cm、漏源击穿电压为57 V、漏极电流为4.3 A、阈值电压为3.0 V、跨导为1.2 S,与结构尺寸相同、直流参数相近的台栅结构VDMOSFET器件相比,屏蔽栅结构VDMOSFET器件的栅漏电容降低了72%以上,器件在175 MHz、12 V的工作条件下,连续波输出功率为8.4 W、漏极效率为70%、功率增益为10 dB。
关键词
射频垂直双扩散金属-氧化物-半导体场效应晶体管
栅
漏电容
栅屏蔽层
台
栅
结构
屏蔽
栅
结构
Keywords
RF vertical double diffused metal oxide semiconductor field effect transistor(VDMOSFET)
gate-drain capacitance
gate shield layer
terraced gate structure
gate shield structure
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
屏蔽栅结构射频功率VDMOSFET研制
李飞
刘英坤
邓建国
胡顺欣
孙艳玲
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2013
0
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职称材料
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参考文献
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