1
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高功率微波作用下热载流子引起n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管特性退化研究 |
游海龙
蓝建春
范菊平
贾新章
查薇
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2012 |
11
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2
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一种新型凹源HV-NMOS器件研究 |
孙伟锋
易扬波
吴烜
王平
吴建辉
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2004 |
0 |
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3
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降低金属与n型Ge接触电阻方法的研究进展 |
周志文
沈晓霞
李世国
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《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
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2016 |
0 |
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4
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一种精确求解超薄栅NMOS器件隧穿电流的模型 |
李宗林
徐静平
许胜国
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2008 |
0 |
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5
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栅长对SOI NMOS器件ESD特性的影响 |
恩云飞
何玉娟
罗宏伟
潘金辉
肖庆中
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2010 |
2
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6
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GGNMOS叉指宽度与金属布线对ESD防护性能的影响 |
梁海莲
董树荣
顾晓峰
李明亮
韩雁
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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7
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基于SiC和Si器件的燃料电池汽车DC-DC变换器的性能 |
周晓敏
马后成
高大威
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《汽车安全与节能学报》
CAS
CSCD
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2017 |
3
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8
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漏极接触孔到栅间距对GGNMOS保护器件的影响 |
吴晓鹏
杨银堂
董刚
高海霞
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2014 |
0 |
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9
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多种栅结构SOI NMOS器件ESD特性研究 |
何玉娟
罗宏伟
肖庆中
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
1
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10
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基于深亚微米工艺的栅接地NMOS静电放电保护器件衬底电阻模型研究 |
吴晓鹏
杨银堂
高海霞
董刚
柴常春
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《物理学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2013 |
5
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11
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沟道尺寸对深亚微米GGNMOS保护器件特性的影响 |
吴晓鹏
杨银堂
刘海霞
董刚
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《西安电子科技大学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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2015 |
2
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12
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电阻耦合型神经MOS晶体管及其差分四象限模拟乘法器 |
王明宇
汤玉生
管慧
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2002 |
0 |
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13
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Halo注入角度对热载流子效应的影响及优化 |
王兵冰
汪洋
黄如
张兴
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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2007 |
2
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