复合栅控二极管新技术提取热载流子诱生的NMOS/SOI器件界面陷阱的横向分布

提出了用复合栅控二极管新技术提取 MOS/ SOI器件界面陷阱沿沟道横向分布的原理 ,给出了具体的测试步骤和方法 .在此基础上 ,对具有体接触的 NMOS/ SOI器件进行了具体的测试和分析 ,给出了不同的累积应力时间下的界面陷阱沿沟道方向的横向分布 .结果表明 :随累积应力时间的增加 ,不仅漏端边界的界面陷阱峰值上升 ,而且沿沟道方向 。

绝缘栅控PIN二极管型晶闸管的研究

设计了一种新颖的绝缘栅控ＰＩＮ二极管型晶闸管（ＩＧＰＤＴ）．此结构绝缘栅ＰＩＮ二极管被用来有效地控制晶闸管的开启及关断．通过二维数值模拟研究了ＩＧ－ＰＤＴ的通导特性及开关特性．结果显示ＩＧＰＤＴ有与槽栅基区电阻控制晶闸管（ＴＢＲＴ）类似的导通特性，其栅控电流关断能力达几百Ａ／ｃｍ２，且电阻负载的开关速度是ＴＢＲＴ的三倍多．

SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器的工艺实现与特性研究

利用SILVACO软件的两个组件ATHENA和ATLAS对SOI基栅控横向PIN蓝紫光探测器进行工艺实现和特性研究。利用ATHENA模块完成各工艺步骤以及退火工艺,最终实现整个器件。利用ATLAS模块对ATHENA得到的器件结构进行光、暗电流模拟仿真。并与软件建模仿真结果进行对比研究,验证工艺实现的有效性。