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尾缘冷气喷射对超声涡轮叶栅性能的影响 被引量:1
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作者 王彬 黄康才 《燃气涡轮试验与研究》 北大核心 2012年第4期37-41,共5页
采用试验与数值模拟相结合的方法,研究了某超声速涡轮导向叶栅尾缘冷气喷射对叶栅流场结构的影响。数值模拟时,使用环形叶栅模型近似模拟平面叶栅内的流动。研究结果表明:数值模拟结果与试验结果吻合较好;尾缘冷气喷射可减少主气流在尾... 采用试验与数值模拟相结合的方法,研究了某超声速涡轮导向叶栅尾缘冷气喷射对叶栅流场结构的影响。数值模拟时,使用环形叶栅模型近似模拟平面叶栅内的流动。研究结果表明:数值模拟结果与试验结果吻合较好;尾缘冷气喷射可减少主气流在尾缘停滞区的能量耗损,削弱叶栅尾缘处的内边缘激波,叶栅气动效率随冷气量的增加先增大后减小;尾缘冷气喷射对叶栅出口附近气流角的周向分布有影响,但对质量平均的叶栅出口气流角基本无影响。 展开更多
关键词 气动效率 冷气喷射 尾缘停滞区 源项模拟技术 风洞试验
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汽轮机空心静叶吹扫性能的试验研究和数值计算 被引量:1
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作者 李春国 王新军 +1 位作者 程代京 孙弼 《动力工程》 CAS CSCD 北大核心 2009年第7期635-639,共5页
在气-液两相流试验装置上研究了汽轮机空心静叶缝隙热气吹扫对二次水滴尺寸的影响,并结合数值方法分析了热气吹扫对叶栅气动性能的影响.试验结果表明:热气流吹扫使二次水滴的尺寸显著减小,尾缘处的缝隙吹扫对减小二次水滴的尺寸最明显,... 在气-液两相流试验装置上研究了汽轮机空心静叶缝隙热气吹扫对二次水滴尺寸的影响,并结合数值方法分析了热气吹扫对叶栅气动性能的影响.试验结果表明:热气流吹扫使二次水滴的尺寸显著减小,尾缘处的缝隙吹扫对减小二次水滴的尺寸最明显,而压力面对二次水滴尺寸的影响最小,并且提高吹扫压比有助于提高吹扫效果.数值分析表明:压力面和吸力面吹扫缝隙后出现严重的流动分离;扩压区增大,使压力损失增大;尾缘吹扫需对叶片尾缘加厚,但这却导致了严重的尾迹损失;热气吹扫造成叶栅效率降低高达4%. 展开更多
关键词 汽轮机 热气吹扫 空心静叶 二次水滴 栅效率 数值计算
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云南暗弱天体光谱及成像仪长缝光谱研究
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作者 张居甲 范玉峰 +2 位作者 常亮 王传军 易卫敏 《天文研究与技术》 CSCD 2012年第4期411-416,共6页
云南暗弱天体光谱及成像仪(Yunnan Faint-Object Spectrograph and Camera,YFOSC)是一台能够快速切换工作模式,进行天文成像及光谱观测的仪器。其中长缝光谱作为该仪器的主要光谱观测模式广泛应用于点源以及面源的分光测量研究。通过测... 云南暗弱天体光谱及成像仪(Yunnan Faint-Object Spectrograph and Camera,YFOSC)是一台能够快速切换工作模式,进行天文成像及光谱观测的仪器。其中长缝光谱作为该仪器的主要光谱观测模式广泛应用于点源以及面源的分光测量研究。通过测量该模式下YFOSC系统的波长响应曲线,各块光栅的波长范围,并对定标灯谱进行波长证认,同时在考虑大气吸收以及望远镜效率的情况下给出了曝光时间曲线,为观测者更好地使用该仪器提供参考。最后以近期拍摄的一条超新星光谱为例,介绍长缝光谱模式的实际观测能力。 展开更多
关键词 YFSOC 长缝光谱 波长定标 栅效率
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中国先进研究堆功率反应性系数测量 被引量:1
4
作者 廉丽莉 吕征 +2 位作者 李图林 李宁 王玉林 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期169-172,共4页
中国先进研究堆(CARR)功率反应性系数测量试验的目的是获得CARR堆芯满装载时功率反应性系数,为CARR安全运行提供数据参考。试验采用控制棒棒栅效率刻度法。3次试验的测量结果均为负值且与温度反应性系数不矛盾,满足验收准则的要求。文... 中国先进研究堆(CARR)功率反应性系数测量试验的目的是获得CARR堆芯满装载时功率反应性系数,为CARR安全运行提供数据参考。试验采用控制棒棒栅效率刻度法。3次试验的测量结果均为负值且与温度反应性系数不矛盾,满足验收准则的要求。文中对引起偏差的原因进行了深入分析,考虑到CARR日后运行的实际情况,选用第3次试验的测量结果为CARR堆芯满装载时的功率反应性系数。 展开更多
关键词 中国先进研究堆 功率反应性系数 控制棒栅效率刻度法
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中国先进研究堆燃耗反应性系数测量
5
作者 吴献斌 廉丽莉 +1 位作者 周媛 吕征 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第S1期165-168,共4页
中国先进研究堆(CARR)燃耗反应性系数测量试验采用控制棒棒栅效率刻度法来获取初装态反应堆满功率运行时的燃耗反应性系数。该试验的目的是通过测量获得反应堆燃耗反应性系数,为将来CARR长期安全运行提供原始基准数据,同时验证设计理论... 中国先进研究堆(CARR)燃耗反应性系数测量试验采用控制棒棒栅效率刻度法来获取初装态反应堆满功率运行时的燃耗反应性系数。该试验的目的是通过测量获得反应堆燃耗反应性系数,为将来CARR长期安全运行提供原始基准数据,同时验证设计理论计算结果。试验采用了两种测量方案,两种测量方案获得的燃耗反应性系数均为负值,且二者数值符合度高,测量结果与核设计值有一定偏差,但满足试验验收准则。 展开更多
关键词 中国先进研究堆 燃耗 燃耗反应性系数 栅效率刻度法
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Improvements on High Current Performance of Static Induction Transistor
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作者 王永顺 吴蓉 +1 位作者 刘春娟 李思渊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第8期1192-1197,共6页
Methods for improving the high current performance of static induction transistor (SIT) are presented.Many important factors,such as "trans-conductance per unit channel width" θ, "gate efficiency" η, "sensiti... Methods for improving the high current performance of static induction transistor (SIT) are presented.Many important factors,such as "trans-conductance per unit channel width" θ, "gate efficiency" η, "sensitivity factor" D,and "intrinsic static gain" μ0,that may be used to describe different aspects of the electrical performance of an SIT are first defined.The dependences of electrical parameters on the structure and technological process of an SIT are revealed for the first time.The packaging technologies are so important for the improvement of high power performance of SITs that they must be paid attention.Testing techniques and circuits for measuring frequency and power parameters of SITs are designed and constructed.The influence of packaging processes in technological practice on the electrical performance of SITs is also discussed in depth. 展开更多
关键词 static induction transistor gate efficiency intrinsic static gain sensitivity factor
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High Performance VHF Power VDMOSFETs for Low Voltage Applications
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作者 刘英坤 梁春广 +3 位作者 邓建国 张颖秋 郎秀兰 李思渊 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期975-978,共4页
A high performance VHF power VDMOSFET,ap plying to the mobile communications,is developed,which can deliver an output power of 12W with the drain efficiency of 70% as well as the gain of 12dB at a low supply voltag... A high performance VHF power VDMOSFET,ap plying to the mobile communications,is developed,which can deliver an output power of 12W with the drain efficiency of 70% as well as the gain of 12dB at a low supply voltage of 12V and 175MHz.It is fabricated by using the terraced gat e structure and refractory molybdenum (Mo) gate technology. 展开更多
关键词 low voltage terraced gate structure Mo gate te chnology VHF power VDMOSFET
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Back-Gate Effect of SOI LDMOSFETs
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作者 毕津顺 宋李梅 +1 位作者 海潮和 韩郑生 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第11期2148-2152,共5页
0.5μm-gate-length lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (LDMOSFETs) with low barrier body contact (LBBC) and body tied to the source (BTS) were fabricated on silicon-on-insu... 0.5μm-gate-length lateral double-diffused metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (LDMOSFETs) with low barrier body contact (LBBC) and body tied to the source (BTS) were fabricated on silicon-on-insulator (SOI) substrates. The back-gate effects on front-channel subthreshold characteristics, on-resistance, and off-state breakdown characteristics of these devices are studied in detail. The LDMOSFETs with the LBBC structure show less back-gate effect than those with the BTS structure due to better control of the floating body effect and suppression of the parasitic backchannel leakage current. A model for the SOl LDMOSFETs has been given,including the front- and back-channel conductions as well as the bias-dependent series resistance. 展开更多
关键词 SOI LDMOSFET back-gate effect
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