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对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进
被引量:
2
1
作者
穆甫臣
李志国
+3 位作者
张万荣
郭伟玲
孙英华
严永鑫
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期250-253,共4页
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源...
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源电压的函数 )
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关键词
MESFET
半导体器件
Fukui法
栅极串联电阻
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职称材料
MOS栅控晶闸管在超高di/dt应用中的失效分析
被引量:
2
2
作者
刘亚伟
陈万军
《电子与封装》
2018年第7期45-48,共4页
MOS栅控晶闸管(MCT)以其极低的导通压降、简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲领域。但在超高di/dt条件下进行脉冲放电时,MCT极易因栅氧化层损坏而发生失效。针对MCT在超高di/dt脉冲放电过程中存在的栅极失效问题进行研究,通过仿真和实...
MOS栅控晶闸管(MCT)以其极低的导通压降、简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲领域。但在超高di/dt条件下进行脉冲放电时,MCT极易因栅氧化层损坏而发生失效。针对MCT在超高di/dt脉冲放电过程中存在的栅极失效问题进行研究,通过仿真和实验分析了di/dt较大的条件下,阴极电感对栅极和阴极之间电势差的影响。研究表明,MCT阴极电感不仅会影响脉冲放电回路的电流峰值及di/dt,还会造成器件阴极电势震荡,使栅极与阴极之间产生极高的电势差,进而造成栅氧化层因过压而损坏。通过分析器件失效机理,建立了脉冲放电过程中栅极与阴极电势差的数学模型。基于该模型,通过减小阴极电感及适当增大栅极串联电阻的方式提高了MCT在脉冲放电过程中的可靠性。
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关键词
MOS栅控晶闸管
脉冲放电
栅极
损伤
阴极电感
栅极串联电阻
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职称材料
题名
对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进
被引量:
2
1
作者
穆甫臣
李志国
张万荣
郭伟玲
孙英华
严永鑫
机构
北京工业大学电子工程系可靠性物理研究室
出处
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第3期250-253,共4页
基金
电子部"九五"预研项目和北京市科技新星项目资助
文摘
本文描述了改进的 Fukui法 .利用改进的 Fukui法可以精确地测量 Ga As MESFET的栅极串联电阻 .实测结果表明 ,漏 -源电阻的测量受栅势垒内建电势影响较小而受夹断电压影响较大 ,从漏 -源电阻与 X( X为栅势垒内建电势、夹断电压和栅 -源电压的函数 )
关键词
MESFET
半导体器件
Fukui法
栅极串联电阻
分类号
TN305.93 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
MOS栅控晶闸管在超高di/dt应用中的失效分析
被引量:
2
2
作者
刘亚伟
陈万军
机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
出处
《电子与封装》
2018年第7期45-48,共4页
文摘
MOS栅控晶闸管(MCT)以其极低的导通压降、简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲领域。但在超高di/dt条件下进行脉冲放电时,MCT极易因栅氧化层损坏而发生失效。针对MCT在超高di/dt脉冲放电过程中存在的栅极失效问题进行研究,通过仿真和实验分析了di/dt较大的条件下,阴极电感对栅极和阴极之间电势差的影响。研究表明,MCT阴极电感不仅会影响脉冲放电回路的电流峰值及di/dt,还会造成器件阴极电势震荡,使栅极与阴极之间产生极高的电势差,进而造成栅氧化层因过压而损坏。通过分析器件失效机理,建立了脉冲放电过程中栅极与阴极电势差的数学模型。基于该模型,通过减小阴极电感及适当增大栅极串联电阻的方式提高了MCT在脉冲放电过程中的可靠性。
关键词
MOS栅控晶闸管
脉冲放电
栅极
损伤
阴极电感
栅极串联电阻
Keywords
MOS-controlled thyristor
pulse discharge
gate damage
cathode inductance
gate resistance
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
对Fukui法测量MESFET栅极串联电阻的改进
穆甫臣
李志国
张万荣
郭伟玲
孙英华
严永鑫
《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
下载PDF
职称材料
2
MOS栅控晶闸管在超高di/dt应用中的失效分析
刘亚伟
陈万军
《电子与封装》
2018
2
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职称材料
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