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肖特基型p-GaN栅极电致发光研究 被引量：1
1
作者 邱然 刘禹涵 李百奎 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期227-231,共5页
制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏压大于6 V时,可以观测到源自沟道层的氮化镓带边发光;当温度升... 制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏压大于6 V时,可以观测到源自沟道层的氮化镓带边发光;当温度升高时,电致发光的强度增加.电致发光光谱随偏压及温度的演变过程,揭示了p-GaN栅结构中电子和空穴的非对称性注入过程,以及Ni/p-GaN界面处的热致空穴注入增强效应.研究有助于理解和提高p-GaN栅功率器件的稳定性和可靠性. 展开更多
关键词 光学工程 氮化镓 功率电子器件 高电子迁移率场效应管 常关型 栅极工程 电致发光
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