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题名MOS栅控晶闸管在超高di/dt应用中的失效分析
被引量:2
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作者
刘亚伟
陈万军
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机构
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《电子与封装》
2018年第7期45-48,共4页
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文摘
MOS栅控晶闸管(MCT)以其极低的导通压降、简单的栅极驱动电路被广泛应用于脉冲领域。但在超高di/dt条件下进行脉冲放电时,MCT极易因栅氧化层损坏而发生失效。针对MCT在超高di/dt脉冲放电过程中存在的栅极失效问题进行研究,通过仿真和实验分析了di/dt较大的条件下,阴极电感对栅极和阴极之间电势差的影响。研究表明,MCT阴极电感不仅会影响脉冲放电回路的电流峰值及di/dt,还会造成器件阴极电势震荡,使栅极与阴极之间产生极高的电势差,进而造成栅氧化层因过压而损坏。通过分析器件失效机理,建立了脉冲放电过程中栅极与阴极电势差的数学模型。基于该模型,通过减小阴极电感及适当增大栅极串联电阻的方式提高了MCT在脉冲放电过程中的可靠性。
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关键词
MOS栅控晶闸管
脉冲放电
栅极损伤
阴极电感
栅极串联电阻
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Keywords
MOS-controlled thyristor
pulse discharge
gate damage
cathode inductance
gate resistance
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分类号
TN386.1
[电子电信—物理电子学]
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