300 MeV质子重离子加速器及电子器件单粒子效应试验研究

300 MeV质子重离子加速器主要用于模拟空间环境中高能粒子辐照,探索高能粒子与材料、器件以及生命体的相互作用机理。该加速器主要由离子源、直线加速器、注入线、同步加速器、引出线和3个实验终端组成。自2022年11月验收以来,该加速器已完成质子束、氦束、碳束、氪束、钽束、铋束、铀束等离子束的调试,相继开展了材料、电子器件、农作物种子、微生物、小鼠等样品的辐照试验,成为基础研究的实验平台。在基于该加速器的辐照试验平台中,开展了国产SiC功率MOSFET器件单粒子效应研究。300 MeV质子重离子加速器产生能量为1864.3 MeV的^(181)Ta^(31+)离子束,在经过钛窗和空气中传输后,达到SiC表面时LET值为80.7 MeV·cm^(2)·mg^(-1)。通过在SiC功率MOSFET器件漏极上施加不同偏置电压,对栅极和漏极泄漏电流检测分析,获取了在不同偏置条件下SiC MOSFET器件的漏电退化行为。